[发明专利]一种精确测量硅片上下面去除量的方法在审
| 申请号： | 201811004443.2 | 申请日： | 2018-08-30 |
| 公开（公告）号： | CN109141324A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 叶挺;贺贤汉 | 申请（专利权）人： | 杭州中芯晶圆半导体股份有限公司;上海申和热磁电子有限公司 |
| 主分类号： | G01B21/08 | 分类号： | G01B21/08 |
| 代理公司： | 上海顺华专利代理有限责任公司 31203 | 代理人： | 顾兰芳 |
| 地址： | 310000 浙江省杭州市萧山区*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体制造领域。一种精确测量硅片上下面去除量的方法，包括如下步骤：步骤一，研磨前用倒角轮廓仪测量硅片上倒角宽幅、硅片下倒角宽幅、硅片上倒角角度、硅片下倒角角度、硅片厚度；步骤二，硅片研磨后，再次用倒角轮廓仪测量硅片上倒角宽幅、硅片下倒角宽幅、硅片上倒角角度、硅片下倒角角度、硅片厚度；步骤三，通过计算模块根据三角函数公式，计算得到硅片上面去除量；同理，计算得硅片下面去除量。本专利通过采用倒角轮廓仪测量研磨前后硅片的上下倒角宽幅、上下倒角角度，精确计算出硅片上下面的去除量。 | ||
| 搜索关键词： | 硅片 倒角 宽幅 去除 测量硅片 上倒角 轮廓仪 研磨 半导体制造领域 三角函数公式 硅片研磨 计算模块 测量 | ||
【主权项】：
1.一种精确测量硅片上下面去除量的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一，研磨前用倒角轮廓仪测量硅片尺寸参数，硅片尺寸参数包括硅片上倒角宽幅、硅片下倒角宽幅、硅片上倒角角度、硅片下倒角角度、硅片厚度；步骤二，硅片研磨后，再次用倒角轮廓仪测量硅片尺寸参数，硅片尺寸参数包括硅片上倒角宽幅、硅片下倒角宽幅、硅片上倒角角度、硅片下倒角角度、硅片厚度；步骤三，通过计算模块将研磨前以及研磨后的硅片上倒角宽幅相减，并根据三角函数公式，计算得到硅片上面去除量；同理，通过计算模块将研磨前以及研磨后的硅片下倒角宽幅相减，并根据三角函数公式，计算得到硅片下面去除量。
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