[发明专利]一种基于铁电栅调控的肖特基二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201810981444.6 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN109037355B | 公开（公告）日： | 2020-04-10 |
| 发明（设计）人： | 廖敏;陈新;郑帅至;彭强祥;尹路;周益春 | 申请（专利权）人： | 湘潭大学 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京中政联科专利代理事务所(普通合伙) 11489 | 代理人： | 陈超 |
| 地址： | 411105 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于铁电栅调控的肖特基二极管及其制备方法，其中，基于铁电栅调控的肖特基二极管，包括：由下至上依次层叠的衬底层、底电极层、铁电薄膜层、第一介质层、肖特基二极管层和第二介质层，所述肖特基二极管层包括：半导体层和金属层；所述半导体层与贯穿所述第二介质层的第一电极连接；所述金属层与贯穿所述第二介质层的所述第二电极连接。该基于铁电栅调控的肖特基二极管通过改变栅压来控制肖特基势垒的高度，从而降低肖特基势垒二极管的反向电流，并预计可通过改变栅压获得大范围的器件的电流调控。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 铁电栅 调控 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种底栅结构肖特基二极管，其特征在于，包括：由下至上依次层叠的衬底层、底电极层、铁电薄膜层、第一介质层、肖特基二极管层和第二介质层，所述肖特基二极管层包括：半导体层和金属层，所述半导体层与贯穿所述第二介质层的第一电极连接，所述金属层与贯穿所述第二介质层的所述第二电极连接。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于湘潭大学，未经湘潭大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810981444.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
