[发明专利]射频结构、工艺腔室和等离子体的生成方法在审
| 申请号： | 201810981326.5 | 申请日： | 2018-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN110867362A | 公开（公告）日： | 2020-03-06 |
| 发明（设计）人： | 王建龙;刘春明;李兴存;赵晓丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 彭瑞欣;张天舒 |
| 地址： | 100176 北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种射频结构、工艺腔室和等离子体的生成方法。该射频结构包括射频电源、射频线圈和匹配器：匹配器包括负载电容和调谐电容；负载电容的第一端与射频电源的输出端电连接，负载电容的第二端与射频线圈的输入端电连接；调谐电容的第一端与射频电源的输出端电连接，调谐电容的第二端和射频线圈的输出端电连接至同一个接地端。射频结构与接地端之间只有一条支路，在该支路上只有单一的寄生电容和寄生电感的存在，不会存在相互串扰的问题，可以提高匹配器的输出效率以及提高射频线圈的电流，使得耦合到腔室内的能量得到提升，因欧姆加热效应引起的碰撞加强，气体解离更加充分，可以改善腔室内部的等离子体成分。 | ||
| 搜索关键词： | 射频 结构 工艺 等离子体 生成 方法 | ||
【主权项】：
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