[发明专利]一种微加工连线方法有效
| 申请号： | 201810977472.0 | 申请日： | 2018-08-24 |
| 公开（公告）号： | CN109283799B | 公开（公告）日： | 2020-11-10 |
| 发明（设计）人： | 吴大伟;王黎;陈磊 | 申请（专利权）人： | 广州联声电子科技有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20;G03F7/16;B06B1/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 颜希文;麦小婵 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种微加工连线方法，包括步骤：在振元电极表面旋涂光刻胶，形成绝缘隔离层；通过曝光机，采用四面反射镜，对所述振元电极进行掩膜曝光处理，并在曝光后进行显影处理，在所述绝缘隔离层上开出连接窗口；在所述绝缘隔离层上溅射导电层，并进行掩膜曝光处理，形成连接线路。通过采用本发明提供的一种微加工连线方法，能够将超声面阵振元连接做得非常小，可靠性很高，该方法非常适合运用于高频超声面阵振元连接中，且充分体现了高频超声换能器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 加工 连线 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微加工连线方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：在振元电极表面旋涂光刻胶，形成绝缘隔离层；S2：通过曝光机，采用四面反射镜，对所述振元电极进行掩膜曝光处理，并在曝光后进行显影处理，在所述绝缘隔离层上开出连接窗口；S3：在经步骤S2处理的所述绝缘隔离层上溅射导电层，并进行掩膜曝光处理，形成连接线路。
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