[发明专利]半导体存储装置

摘要

本发明涉及半导体存储装置。本发明公开了一种能够执行第一模式和第二模式的半导体存储装置，所述第一模式具有第一潜伏期，所述第二模式具有比所示第一潜伏期长的第二潜伏期。该半导体存储装置包括：焊盘单元，该焊盘单元被配置为从外部接收地址和命令；第一延迟电路，该第一延迟电路被配置为将所述地址延迟与所述第一潜伏期对应的时间；第二延迟电路，该第二延迟电路包括串联的移位寄存器，并被配置为将所述地址延迟与所述第一潜伏期和所述第二潜伏期之间的差值对应的时间；以及控制器，该控制器被配置为在执行所述第二模式时使用所述第一延迟电路和所述第二延迟电路。

主权项

1.一种控制磁阻式随机存取存储器的方法，包括：在时钟信号的上升沿和下降沿通过命令/地址引脚接收与激活状态相关联的多个第一信号；在接收所述多个第一信号之后，在所述时钟信号的上升沿和下降沿通过所述命令/地址引脚接收与用于读取操作的列地址和行地址相关联的多个第二信号；响应于所述多个第二信号，根据用于所述读取操作的所述行地址，从至少一个存储单元读取数据；在从所述至少一个存储单元读取数据的同时，在所述时钟信号的上升沿和下降沿通过所述命令/地址引脚接收与用于写入操作的列地址和行地址相关联的多个第三信号；在从接收所述多个第二信号起经过预定的读取潜伏期之后，根据用于所述读取操作的所述列地址，将从所述至少一个存储单元读取的所述数据输出到数据输入/输出引脚；在从接收所述多个第三信号起经过预定的写入潜伏期之后，根据用于所述写入操作的所述列地址，响应于所述多个第三信号，通过所述数据输入/输出引脚输入数据；以及根据用于所述写入操作的所述行地址，将从所述数据输入/输出引脚输入的所述数据写入至少一个存储单元。