[发明专利]一种六甲基二硅氮烷修饰有机薄膜晶体管及其制备方法

摘要

本发明提供六甲基二硅氮烷修饰有机薄膜晶体管及其制备方法，该六甲基二硅氮烷修饰有机薄膜晶体管包括衬底以及在衬底上依次层叠的底电极、绝缘层、修饰层、有源层和源漏电极，所述修饰层为六甲基二硅氮烷薄膜。该制备方法包括S1：在衬底上沉积底电极；S2：制备绝缘层；S3：制备修饰层：在绝缘层表面旋涂六甲基二硅氮烷溶液成膜，进行退火处理后制得六甲基二硅氮烷薄膜作为修饰层；S4：制备有源层；S5：制备源漏电极。本发明采用六甲基二硅氮烷薄膜作为晶体管的修饰层，由于六甲基二硅氮烷薄膜致密性高，能够形成高质量的界面，有利于提高载流子传输效率，使最终的有机薄膜晶体管具有高开关比和高迁移率以及低工作电压。

主权项

1.一种六甲基二硅氮烷修饰有机薄膜晶体管，其特征在于：包括衬底以及在衬底上依次层叠设置的底电极、绝缘层、修饰层、有源层和源漏电极，所述底电极设置在所述衬底上，所述绝缘层覆盖所述底电极并设置在所述衬底上，所述修饰层层叠在所述绝缘层表面，所述有源层设置在所述修饰层上，所述源漏电极同时设置在所述修饰层和有源层上并形成一沟道，所述修饰层为六甲基二硅氮烷薄膜。