[发明专利]一种低成本制备双电层薄膜晶体管的工艺

摘要

本发明的低成本制备双电层薄膜晶体管的工艺，包括：a).衬底和电极材料的选取；b).源、漏电极图案化（划线）；c).样品清洗；d).制备有源层；e).栅极衬底和电极材料的选取以及栅极图案化（切片）；f).制备栅介质层；g).倒装贴片。本发明的制备双电层薄膜晶体管的工艺，提供了一种简单低成本的双电层薄膜晶体管的制备方法，开发了“划线，切片和倒装贴片（Carving,cutting,and flip‑chip bonding,简称为CCFB）”技术，具有成本低、省时、环保、易于大规模生产的优点，可用于多种衬底，如玻璃、硅片、云母等刚性衬底，以及塑料和纸等柔性基材，其优异的工艺优势和器件性能表明，该技术具有极高的应用推广前景。

主权项

1.一种低成本制备双电层薄膜晶体管的工艺，其特征在于，通过以下步骤来实现：/na).衬底和电极材料的选取，通过在绝缘材料上形成一层导电膜，或者市购带导电膜的绝缘衬底，作为绝缘衬底材料和形成源、漏电极的导电材料；/nb).源、漏电极图案化，利用机械针划线或激光划线工艺在步骤a)中获取的导电膜上划线得到沟槽，沟槽两侧的导电膜分别作为源电极和漏电极；/nc).样品清洗，将刻有沟槽的导电膜和绝缘衬底用清洗剂进行清洗，以去除划线过程中产生的碎屑和污物；/nd).制备有源层，采用镀膜工艺在沟槽上沉积一层半导体层或者采用溶液法在沟槽上制备一层半导体层，作为有源层；/ne).栅极衬底和电极材料的选取，通过在绝缘材料上形成一层导电膜，或者市购带导电膜的绝缘衬底，作为栅极衬底和栅电极；/nf).制备栅介质层，首先将作为栅极衬底和栅电极的材料切割成小片，再在小片上制备电解质，或者，采用首先在栅电极上制备电解质再将其切割成小片的方法，来形成电解质构成的栅介质层；/ng).倒装贴片，将步骤f)中获取的小片以栅介质层对准有源层的形式将其贴合在一起，以形成双电层薄膜晶体管。/n