[发明专利]工况NBTS稳定性良好的氧化物半导体薄膜及其晶体管有效
| 申请号： | 201810790054.0 | 申请日： | 2018-07-18 |
| 公开（公告）号： | CN108987471B | 公开（公告）日： | 2021-03-05 |
| 发明（设计）人： | 兰林锋;彭俊彪 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/24 | 分类号： | H01L29/24;H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 | 代理人： | 赵蕊红 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： |
一种氧化物半导体薄膜及以其作为沟道材料的薄膜晶体管。氧化物半导体薄膜成分为M |
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| 搜索关键词： | 工况 nbts 稳定性 良好 氧化物 半导体 薄膜 及其 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种氧化物半导体薄膜，其特征在于：用于作为薄膜晶体管的沟道层，成分为M2xSc2yIn2‑2y‑2xO3‑δ，且成分中不包括Zn和Sn，其中M为Mg、Ca、Sr和Cd中的一种或任意两种以上组合的元素，0.01≤x≤0.5，0.001≤y≤0.3，0≤δ<3，载流子浓度小于4×1019cm‑3。
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