[发明专利]一种硅基径向纳米线太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种硅基径向纳米线太阳能电池，包括n型单晶硅衬底，n型单晶硅衬底的第一面设置n型纳米线周期阵列结构，n型单晶硅衬底的第二面设置金属薄膜，n型纳米线周期阵列结构表面依次设置硫化钼薄膜和p型非晶硅薄膜，p型非晶硅薄表面和n型单晶硅衬底的由n型纳米线周期阵列结构裸露的第一面设置透明导电薄膜，透明导电薄膜和金属薄膜引出导电电极对外供电。本发明还公开了一种硅基径向纳米线太阳能电池的制备方法。本发明利用利用硫化钼薄膜作为本征层对n型纳米线周期阵列的纳米线表面缺陷进行修饰，在降低界面复合的同时提高对宽光谱太阳能波段的吸收，从而提高硅基径向纳米线太阳能电池的光电转换效率。

主权项

1.一种硅基径向纳米线太阳能电池，其特征在于，包括n型单晶硅衬底，所述n型单晶硅衬底的第一面设置n型纳米线周期阵列结构，所述n型单晶硅衬底的第二面设置金属薄膜，所述n型纳米线周期阵列结构表面依次设置硫化钼薄膜和p型非晶硅薄膜，所述p型非晶硅薄表面和n型单晶硅衬底的由n型纳米线周期阵列结构裸露的第一面设置透明导电薄膜，所述透明导电薄膜和金属薄膜引出导电电极对外供电。