[发明专利]非易失性存储器件以及操作非易失性存储器件的方法有效
| 申请号： | 201810769508.6 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109256161B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 李相宪 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/22 | 分类号： | G11C11/22 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;李少丹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种非易失性存储器件以及操作非易失性存储器件的方法。根据一个实施例的非易失性存储器件包括铁电存储元件和电阻式存储元件。铁电存储元件包括具有铁电栅电介质层的场效应晶体管。电阻式存储元件包括设置在第一存储器电极与第二存储器电极之间的阻变存储层。场效应晶体管的漏电极连接到第一存储器电极或第二存储器电极。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储器 以及 操作 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储器件，包括：铁电存储元件和电阻式存储元件，其中，所述铁电存储元件包括具有铁电栅电介质层的场效应晶体管，所述电阻式存储元件包括设置在第一存储器电极与第二存储器电极之间的阻变存储层，以及所述场效应晶体管的漏电极连接到所述第一存储器电极或所述第二存储器电极。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于爱思开海力士有限公司，未经爱思开海力士有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810769508.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种自旋轨道矩磁存储器读取方法
- 下一篇：半导体存储器件及其编程方法
