[发明专利]一种沟槽肖特基势垒二极管及其制造方法有效
| 申请号： | 201810767802.3 | 申请日： | 2018-07-13 |
| 公开（公告）号： | CN109065637B | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 周炳 | 申请（专利权）人： | 张家港意发功率半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L21/329 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 闫东伟 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种沟槽肖特基势垒二极管，包括中部的有源区和环绕有源区的截止区，所述有源区自下而上依次设有N型衬底层、N型外延层、栅氧化层、肖特基金属层、阳极金属层、阴极金属层；所述N型外延层上设有若干沟槽和凸台，所述沟槽和凸台横向间隔设置，在凸台的栅氧化层和阳极金属层之间沉积有BPSG缓冲层，在沟槽内填充有磷掺杂导电多晶硅层，所述沟槽深度1.3μm，沟槽宽度0.5μm，沟槽间距1.5μm以及沟槽内氧化物的厚度1000Å。本发明通过控制沟槽的形状、沟槽深度、沟槽间有源区的宽度、沟槽内氧化层的厚度，得到了一种反向漏电低，电压反向阻断能力佳，可靠性好的沟槽肖特基势垒二极管。本发明还公开了一种沟槽肖特基势垒二极管的制造方法，其步骤少，制造成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 肖特基势垒二极管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种沟槽肖特基势垒二极管，包括中部的有源区和环绕有源区的截止区，所述有源区自下而上依次设有N型衬底层（1）、N型外延层（2）、栅氧化层（3）、肖特基金属层（4）、阳极金属层（5）、阴极金属层（6）；所述N型外延层（2）上设有若干沟槽和凸台，所述沟槽和凸台横向间隔设置，在凸台的栅氧化层（3）和阳极金属层（5）之间沉积有3%B和4%P的BPSG缓冲层（7），在沟槽内填充有磷掺杂导电多晶硅层（8），其特征在于：沟槽深度为1.3μm，沟槽宽度为0.5μm，沟槽间距为1.5μm以及沟槽内氧化物的厚度为1000Å。
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