[发明专利]切割带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法在审
| 申请号： | 201810725608.9 | 申请日： | 2018-07-04 |
| 公开（公告）号： | CN109207077A | 公开（公告）日： | 2019-01-15 |
| 发明（设计）人： | 小坂尚史;靏泽俊浩;三木香;木村雄大;大西谦司;高本尚英;杉村敏正;赤泽光治 | 申请（专利权）人： | 日东电工株式会社 |
| 主分类号： | C09J7/24 | 分类号： | C09J7/24;H01L21/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供切割带、切割芯片接合薄膜、及半导体装置的制造方法。提供在常温扩展时及之后不易发生带有芯片接合薄膜的半导体芯片的浮起的切割带及使用该切割带的切割芯片接合薄膜。一种切割带，其具有：基材、和层叠在前述基材上的粘合剂层，切割带的至少一个方向的、在23℃的温度条件下进行30％拉伸1000秒之后的应力松弛率为45％以上，前述至少一个方向的、在23℃的温度条件下进行30％拉伸1000秒之后的应力值为4MPa以下。 | ||
| 搜索关键词： | 切割带 芯片接合薄膜 切割 半导体装置 温度条件 基材 拉伸 半导体芯片 应力松弛率 粘合剂层 浮起 制造 | ||
【主权项】：
1.一种切割带，其具有基材和层叠在所述基材上的粘合剂层，所述切割带的至少一个方向的、在23℃的温度条件下进行30％拉伸1000秒之后的应力松弛率为45％以上，所述至少一个方向的、在23℃的温度条件下进行30％拉伸1000秒之后的应力值为4MPa以下。
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