[发明专利]自对准锗硅HBT器件监控锗硅基区掺杂的结构及工艺方法有效
| 申请号： | 201810696855.0 | 申请日： | 2018-06-29 |
| 公开（公告）号： | CN108807174B | 公开（公告）日： | 2022-03-08 |
| 发明（设计）人： | 周正良 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L23/544;H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种自对准锗硅HBT器件监控发射区扩散后锗硅基区掺杂的测试结构，包含：一矩形有源区，以及位于有源区之外、将有源区层层包围的矩形的回刻保护区、基区多晶硅、牺牲发射极窗口以及金属硅化物阻挡层；在有源区的长度方向上，从里向外依次为牺牲发射极窗口、金属硅化物阻挡层、回刻保护区以及基区多晶硅的边界；在有源区的宽度方向上，从里向外依次为回刻保护区、基区多晶硅、牺牲发射极窗口以及金属硅化物阻挡层的边界。本发明可在硅片电测试阶段有效监控自对准锗硅HBT器件中外延层的P型掺杂浓度，在研发过程中可以比较不同菜单的P型浓度，可在量产过程中监控锗硅外延的工艺稳定性。本发明所述的工艺方法与原工艺兼容，简单易于实施。 | ||
| 搜索关键词： | 对准 hbt 器件 监控 锗硅基区 掺杂 结构 工艺 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自对准锗硅HBT器件监控锗硅基区掺杂的结构，其特征在于：所述测试结构包含：有源区，为一矩形，以及位于有源区之外、将有源区层层包围的矩形的回刻保护区、基区多晶硅、牺牲发射极窗口以及金属硅化物阻挡层；所述各层均以有源区长、宽中心线轴对称；在有源区的长度方向上，从里向外依次为牺牲发射极窗口、金属硅化物阻挡层、回刻保护区以及基区多晶硅的边界；在有源区的宽度方向上，从里向外依次为回刻保护区、基区多晶硅、牺牲发射极窗口以及金属硅化物阻挡层的边界。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810696855.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
