[发明专利]等离子体蚀刻和等离子体切割的方法有效
| 申请号： | 201810568915.0 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108987342B | 公开（公告）日： | 2023-07-18 |
| 发明（设计）人： | 奥立佛·J·安塞尔;马丁·哈尼辛克;珍妮特·霍普金斯 | 申请（专利权）人： | SPTS科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/78 | 分类号： | H01L21/78;H01L21/3065 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 章蕾 |
| 地址： | 英国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 根据本发明，提供了一种在附接有背面金属层的硅衬底中等离子体蚀刻一个或多个切割通道的方法，该方法包括以下步骤：使用交替重复沉积步骤和蚀刻步骤的周期性等离子体蚀刻工艺执行主蚀刻，以产生具有圆齿形侧壁的切割通道；和切换到使用交替重复沉积步骤和蚀刻步骤的周期性等离子体蚀刻工艺执行第二蚀刻，直到达到背面金属层，其中，在第二蚀刻期间的一个蚀刻步骤中去除的硅量是在主蚀刻期间的一个蚀刻步骤中去除的硅的量的一半或者更少。本发明还提供了一种对附接有背面金属层的硅衬底进行等离子体切割的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 切割 方法 | ||
【主权项】：
1.一种在附接有背面金属层的硅衬底中等离子体蚀刻一个或多个切割通道的方法，所述方法包括以下步骤：使用交替重复沉积步骤和蚀刻步骤的周期性等离子体蚀刻工艺执行主蚀刻，以产生具有圆齿形侧壁的切割通道；和切换到使用交替重复沉积步骤和蚀刻步骤的周期性等离子体蚀刻工艺执行第二蚀刻，直至达到所述背面金属层；其中，在所述第二蚀刻期间的一个蚀刻步骤中去除的硅量是在所述主蚀刻期间的一个蚀刻步骤中去除的硅量的一半或者更少。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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