[发明专利]金属离子监控方法有效
| 申请号： | 201810504049.9 | 申请日： | 2018-05-23 |
| 公开（公告）号： | CN108717934B | 公开（公告）日： | 2020-12-04 |
| 发明（设计）人： | 曹秋凤;陈宏璘;龙吟;倪棋梁 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种金属离子监控方法，提供晶圆，所述晶圆中注入有采样离子；将所述晶圆装载至待监控设备中进行正常作业；所述晶圆自所述待监控设备载出后，对所述晶圆进行缺陷扫描；以及依据扫描后晶圆上的缺陷判断所述待监控设备中是否存在金属离子。传统的检测金属离子的滴定法分析，整个检测过程复杂，且所需时间较长。本发明所提供方法，通过检测工程晶圆表面出现结晶以及白色条状痕迹的缺陷情况快速检测设备中金属离子情况，可以在较短时间内得到金属离子检测结果，及时对设备情况作出判断，缩短影响区间，缩短响应时间，可有效减少由于湿法去胶设备溶液中金属离子超标对产品良率产生的不良影响，提升产品质量。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 离子 监控 方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属离子监控方法，其特征在于，包括，提供晶圆，所述晶圆中注入有采样离子；将所述晶圆装载至待监控设备中进行正常作业；所述晶圆自所述待监控设备载出后，对所述晶圆进行缺陷扫描；以及依据扫描后晶圆上的缺陷判断所述待监控设备中是否存在金属离子。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
