[发明专利]一种具有高势垒插入层的晶体管器件在审
| 申请号： | 201810443074.0 | 申请日： | 2018-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108417629A | 公开（公告）日： | 2018-08-17 |
| 发明（设计）人： | 卢星;任远;刘晓燕;陈志涛;赵维;龚政;黎子兰 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/10 |
| 代理公司： | 广州市越秀区海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295 | 代理人： | 黄为 |
| 地址： | 510000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有高势垒插入层的晶体管器件，包括设有沟道层和栅电极的垂直场效应晶体管，在所述沟道层任一表面或沟道层内设有高势垒插入层,所述的高势垒插入层与沟道层电性连接且与栅电极绝缘连接，所述的高势垒插入层用于在栅电极的调控下，控制电子在沟道层内的迁移。所述垂直场效应晶体管包括依次层叠的漏电极、衬底、耐压层、沟道层、接触层；所述接触层远离沟道层的表面设有源电极；所述凹槽自接触层远离沟道层表面向耐压层方向延伸至耐压层内部。本发明所述晶体管器件通过设置高势垒插入层用于调控沟道中的电子输运，设置删电极调控高势垒插入层的势垒，使得所述晶体管器件同时具备高耐压和低导通电阻的特性。 | ||
| 搜索关键词： | 插入层 高势垒 沟道层 晶体管器件 接触层 耐压层 垂直场效应晶体管 栅电极 调控 低导通电阻 沟道层表面 栅电极绝缘 电性连接 电子输运 方向延伸 依次层叠 高耐压 漏电极 源电极 电极 衬底 沟道 势垒 迁移 | ||
【主权项】：
1.一种具有高势垒插入层的晶体管器件，包括设有沟道层(105)和栅电极(110)的垂直场效应晶体管，其特征在于，在所述沟道层(105)任一表面或沟道层(105)内设有高势垒插入层(104),所述的高势垒插入层(104)与沟道层(105)电性连接且与栅电极(110)绝缘连接，所述的高势垒插入层(104)用于在栅电极(110)的调控下，控制电子在沟道层(105)内的迁移。
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