[发明专利]处理被处理体的方法

摘要

本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤，流程包括：向处理容器内供给第2气体的第1步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，第1气体包含碳原子和氟原子，第2气体包含氨基硅烷类气体，被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，第1步骤不生成第1气体的等离子体。

主权项

1.一种处理被处理体的方法，该被处理体包括被蚀刻层和设置在该被蚀刻层上的掩模，在该掩模形成有至被蚀刻层的开口，所述方法的特征在于，包括：经由所述开口对被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤；和在实施蚀刻所述被蚀刻层的所述步骤之后的、所述开口的内侧的表面形成膜的步骤，在所述对所述被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤中，在收纳有所述被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成第1气体的等离子体，所述形成所述膜的步骤通过反复实施包括以下步骤的流程在所述开口的内侧的所述表面形成所述膜，其中所述流程包括：对所述处理容器内供给第2气体的第1步骤；在实施所述第1步骤之后对所述处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在实施所述第2步骤之后在所述处理容器内生成含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；和在实施所述第3步骤之后对所述处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，所述第1气体包含碳原子和氟原子，所述第2气体包含含有机基团的氨基硅烷类气体，所述被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，所述第1步骤不生成第1气体的等离子体。