[发明专利]处理被处理体的方法

说明书

本发明提供一种在被处理体有区域选择性地控制性良好地成膜的技术。一实施方式的方法包括在收纳有被处理体的处理容器内生成第1气体的等离子体，经被处理体的开口对被处理体的被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤，在该步骤之后还包括反复实施包括下述步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜的步骤，流程包括：向处理容器内供给第2气体的第1步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在处理容器内生成包含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤，第1气体包含碳原子和氟原子，第2气体包含氨基硅烷类气体，被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层，第1步骤不生成第1气体的等离子体。

技术领域

本发明的实施方式涉及处理被处理体的方法。

背景技术

在电子器件的制造工艺中，为了在被处理层上形成掩模，将该掩模的图案转印到该被处理层而进行蚀刻。专利文献1公开了一种目的在于改善通过蚀刻产生的图案的孔(hole)的形状的技术。专利文献2公开了一种目的在于通过蚀刻步骤和成膜步骤良好地形成基板上的凹陷图案的技术。专利文献3公开了一种一边形成掩模的保护膜一边循环地进行蚀刻的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第WO2014/046083号手册

专利文献2：日本特开2014-17438号公报

专利文献3：日本特表2006-523030号公报

发明内容

发明想要解决的技术课题

要求一种对被处理体有区域选择性地控制性良好地进行成膜的技术。

用于解决技术课题的技术方案

在一个方式中，提供一种处理被处理体的方法。被处理体包括被蚀刻层和设置在该被蚀刻层上的掩模。在该掩模形成有至被蚀刻层的开口。处理被处理体的方法包括：经由开口对被蚀刻层各向异性地进行蚀刻的步骤(以下称为步骤a)；和在步骤a的实施后的开口的内侧的表面形成膜的步骤(以下称为步骤b)。步骤a在收纳有被处理体的等离子体处理装置的处理容器内生成第1气体的等离子体。步骤b反复实施包括以下步骤的流程在开口的内侧的表面形成膜，其中上述流程包括：对处理容器内供给第2气体的第1步骤；在实施第1步骤后对处理容器内的空间进行吹扫的第2步骤；在实施第2步骤后在处理容器内生成含氧原子的第3气体的等离子体的第3步骤；和在实施第3步骤后对处理容器内的空间进行吹扫的第4步骤。第1气体包含碳原子和氟原子。第2气体包含含有有机基团的氨基硅烷类气体。被蚀刻层是含有硅的亲水性的绝缘层。第1步骤不生成第1气体的等离子体。

通过在步骤a中进行的蚀刻，存在作为因第1气体导致的反应生成物的堆积部附着在开口，并且在开口的内侧的表面中堆积部没有附着的部分(被蚀刻层露出的部分)形成有弓形形状(凹陷)的情况。根据本发明的一个方式的方法，通过在实施步骤a后实施的步骤b，能够除去附着在开口的堆积部，并且通过在形成有弓形形状的部分形成膜，能够缓和该弓形形状。

在一实施方式中，第1步骤中，一边进行调节使被处理体的温度在该被处理体的多个区域中变得均匀，一边经由开口对被蚀刻层进行蚀刻。在使用第2气体的第1步骤中，因为不产生等离子体地使用化学反应，所以通过包含第1步骤的步骤b形成的膜的厚度伴随形成膜的被处理体(特别是被蚀刻层)的温度的上升而增加。所以，根据本发明的一个方式的方法，在步骤b中形成的膜的厚度在被处理体的多个区域中能够变得均匀。