[发明专利]LED芯片结构及其制备方法

摘要

本申请公开了一种LED芯片结构及其制备方法，设计LED芯片设计技术领域，方法依次包括：处理衬底、生长缓冲层、生长N型半导体层N‑GAN、生长多量子阱层、生长P型半导体层P‑GAN、生长分段式电流阻挡层、生长电流扩展层、生长P型电极和N型电极、生长透明绝缘层；其中，分段式电流阻挡层包括第一电流阻挡层N‑CBL和第二电流阻挡层P‑CBL，第一电流阻挡层N‑CBL和/或第二电流阻挡层P‑CBL为分段式结构；第一电流阻挡层N‑CBL与N型半导体层N‑GAN远离衬底的表面之间的夹角为10°≤α≤25°，第二电流阻挡层P‑CBL与P型半导体层P‑GAN远离衬底的表面之间的夹角为10°≤θ≤25°。

主权项

1.一种LED芯片的制备方法，其特征在于，依次包括：处理衬底、生长缓冲层、生长N型半导体层N‑GAN、生长多量子阱层、生长P型半导体层P‑GAN、生长分段式电流阻挡层、生长电流扩展层、生长P型电极和N型电极、生长透明绝缘层；其中，所述分段式电流阻挡层包括第一电流阻挡层N‑CBL和第二电流阻挡层P‑CBL，所述第一电流阻挡层N‑CBL和/或所述第二电流阻挡层P‑CBL为分段式结构；所述生长分段式电流阻挡层为：采用PECVD沉积一层厚度在1000A至3500A之间的SiO2或Si3N4，沉积温度为200℃至280℃，硅烷的流量为200sccm至250sccm，笑气的流量为850sccm至1000sccm，功率为50W至100W；采用黄光工艺和腐蚀工艺对SiO2或Si3N4进行处理，所述黄光工艺至少包括匀胶过程、曝光过程、显影过程和坚膜过程，所述曝光过程的曝光量为95mj/cm2至130mj/cm2，曝光间距为20μm至30μm，所述坚膜过程的温度为150℃至160℃；所述腐蚀工艺中腐蚀时间为200s至240s，形成第一电流阻挡层N‑CBL和第二电流阻挡层P‑CBL，所述第一电流阻挡层N‑CBL位于所述N型半导体层N‑GAN与所述P型电极之间，所述第二电流阻挡层P‑CBL位于所述P型半导体层P‑GAN与所述N型电极之间；其中，所述第一电流阻挡层N‑CBL与所述N型半导体层N‑GAN远离所述衬底的表面之间的夹角为α，所述第二电流阻挡层P‑CBL与所述P型半导体层P‑GAN远离所述衬底的表面之间的夹角为θ，10°≤α≤25°，10°≤θ≤25°；所述第一电流阻挡层的厚度为D1，所述第二电流阻挡层的厚度为D2，其中，1000A≤D1≤4500A，1000A≤D2≤4500A。