[发明专利]一种深紫外LED封装结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201810153617.5 | 申请日： | 2018-02-13 |
| 公开（公告）号： | CN108389951B | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 姚禹;郑远志;陈向东;梁旭东 | 申请（专利权）人： | 马鞍山杰生半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/44;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 杨泽;刘芳 |
| 地址： | 243000 安徽省马*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供一种深紫外LED封装结构及其制作方法，封装结构包括：深紫外LED芯片和具有开口向上的下凹空腔的支架，空腔的内底壁上包括附着第一金属层的第一涂覆区和第二金属层的第二涂覆区，第一涂覆区和第二涂覆区间隔设置且电学相异，深紫外LED芯片跨设在第一金属层和第二金属层之间；减反层，减反层附着在深紫外LED芯片表面；透光绝缘层，透光绝缘层附着于第一金属层和第二金属层的外表面中未与深紫外LED芯片接触的区域；透光盖板，透光盖板覆盖在支架的开口处。该深紫外LED封装结构可改善高温下金属材料因裸露而造成氧化、腐蚀现象的发生，并且改善了LED芯片发光面因材料界面折射率差异大而导致的全反射现象。 | ||
| 搜索关键词： | 深紫外LED 封装结构 涂覆区 第二金属层 第一金属层 附着 透光绝缘层 透光盖板 减反层 支架 芯片 全反射现象 折射率差异 材料界面 间隔设置 金属材料 开口向上 下凹空腔 芯片表面 芯片接触 发光面 开口处 内底壁 电学 空腔 相异 制作 裸露 腐蚀 覆盖 | ||
【主权项】：
1.一种深紫外LED封装结构，其特征在于，包括：深紫外LED芯片和具有开口向上的下凹空腔的支架，所述空腔的内底壁上包括附着有N层第一金属层的第一涂覆区和附着有N层第二金属层的第二涂覆区，所述第一涂覆区和所述第二涂覆区间隔设置且电学相异，所述深紫外LED芯片跨设在所述第一金属层和第二金属层之间；N≥1且为整数；减反层，所述减反层附着在所述深紫外LED芯片表面；透光绝缘层，所述透光绝缘层附着于所述第一金属层和第二金属层的外表面中未与所述深紫外LED芯片接触的区域；透光盖板，所述透光盖板覆盖在所述支架的开口处与所述空腔构成闭合空间；所述透光盖板的上表面具有M层减反膜，所述透光盖板的下表面具有M层增透膜；M≥1且为整数。
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- 本发明公开了一种LED灯及其封装芯片，包括陶瓷基板，陶瓷基板的下表面设有铜线路板，陶瓷基板的上表面设有倒装芯片，倒装芯片的上方设有荧光片，陶瓷基板的周向边缘环绕设有用于加固的支撑板，陶瓷基板与支撑板形成的支撑腔体内填充有粘结剂层。应用本发明提供的LED灯的封装芯片，陶瓷基板的上表面设置有倒装芯片和荧光片，在陶瓷基板的周向边缘环绕设有支撑板，在陶瓷基板与支撑板形成的支撑腔体内设置有粘结剂层，通过支撑板提高陶瓷基板的周向硬度，能承受较大的外力冲击，从而有效保护封装芯片的内部结构，同时通过粘结剂层使得陶瓷基板与支撑板固定，提高稳固度。
- 一种发光二极管封装结构及其制造方法-201810618214.3
- 戴世元 - 南通沃特光电科技有限公司
- 2018-06-15 - 2019-11-01 - H01L33/48
- 本发明提供了一种发光二极管封装结构及其制造方法，所述发光二极管封装结构的制造方法，包括以下步骤：形成复合树脂板，在所述复合树脂板中形成多个平行排列的条形沟槽，并嵌入条形石墨块，接着在所述复合树脂板的上下表面直接沉积多层导热绝缘层，然后形成电路布线层，在所述电路布线层上安装多个发光二极管芯片，形成树脂封装胶层，在所述树脂封装胶层的上表面粘结PMMA板。本发明的发光二极管封装结构具有优异的密封性能、抗震性能、导热性能以及稳定性能，增长了其使用寿命。
- 一种发光器件封装结构及其制备方法-201810618387.5
- 戴世元 - 南通沃特光电科技有限公司
- 2018-06-15 - 2019-11-01 - H01L33/48
- 本发明提供了一种发光器件封装结构及其制备方法，其方法包括以下步骤：形成封装背板，在聚甲基丙烯酸甲酯塑料板的上表面粘结多个正四棱锥凸起，在所述封装背板的下表面形成多个平行排布的第一凹槽并嵌入缓冲导热块，在所述封装背板上形成电路布线层，在所述正四棱锥凸起的四个侧表面上各设置一LED芯片，在所述封装背板的上表面铺设第一隔热封装胶层、第一荧光封装胶层、第一硅胶层、第二荧光封装胶层以及第二硅胶层。本发明的发光器件封装结构具有优异的出光性能、导热性能以及减震性能。
- 一种半导体封装结构及其制造方法-201810618255.2
- 戴世元 - 南通沃特光电科技有限公司
- 2018-06-15 - 2019-11-01 - H01L33/48
- 本发明提供了一种半导体封装结构及其制造方法，其方法包括以下步骤：形成半导体封装背板，在PET树脂板的上表面形成多个呈矩阵排布的正四棱锥凸起，在所述半导体封装背板的下表面形成多个呈矩阵排布的凹孔并嵌入导热柱，所述正四棱锥凸起与所述凹孔一一对应，在所述半导体封装背板上形成一电路布线层，在所述正四棱锥凸起的四个侧表面上各设置一发光二极管芯片，并通过所述电路布线层将相邻的发光二极管芯片进行电连接，接着铺设第一隔热封装胶层、荧光封装胶层以及硅胶层，以形成半导体封装结构。本发明的半导体封装结构具有优异的出光性能、导热性能以及减震性能。
- LED芯片方向控制装置及LED芯片贴片系统-201920166318.5
- 丁凤仙;刘桃荣;谢湘武 - 深圳市安泰自动化设备有限公司
- 2019-01-30 - 2019-11-01 - H01L33/48
- 本实用新型涉及一种LED芯片方向控制装置及LED芯片贴片系统。LED芯片方向控制装置包括底座和驱动机构，底座上设有用于输送LED芯片的输送通道和与输送通道相连通的滑道，滑道设置有用于LED芯片滑入的入口，驱动机构用于驱动LED芯片从所述入口滑入滑道；且滑道的宽度不小于LED芯片的最小宽度，但不超过LED芯片的最大宽度，以使得LED芯片沿滑道滑动时，LED芯片的方向能跟随滑道的方向改变。上述LED芯片方向控制装置通过利用滑道的方向来控制、改变LED芯片的方向，使得整个LED芯片方向控制装置的结构更简单。
- 大功率LED封装用基板及大功率LED封装结构-201920447832.6
- 潘明强;久磊;刘吉柱;王阳俊 - 苏州大学
- 2019-04-03 - 2019-11-01 - H01L33/48
- 本实用新型公开了一种大功率LED封装用基板及大功率LED封装结构，所述基板包括金属基体、位于金属基体上的绝缘导热层、及位于绝缘导热层和/或金属基体上方且与金属基体电性连接的电极，所述绝缘导热层通过扫描式微弧氧化方法在金属基体上生长形成，所述电极包括第一电极及第二电极。本实用新型基于微弧氧化的基板可优化传统的封装结构，减少导热通道的热阻，能有效解决大功率LED的散热问题，可广泛用于大功率LED散热基板或衬底的制备。
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