[发明专利]一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法有效
| 申请号： | 201810093230.5 | 申请日： | 2018-01-30 |
| 公开（公告）号： | CN108254106B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 张明亮;季安;王晓东;杨富华 | 申请（专利权）人： | 中国科学院半导体研究所 |
| 主分类号： | H01L29/84 | 分类号： | H01L29/84 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法，该方法包括：在硅片上制作凸台型阳极键合用锚定区，并在硅片用于阳极键合的面上做掺杂；在玻璃片上制作金属功能电极，将硅片与玻璃片对准阳极键合；在硅片的面上制作出谐振子；制作封装盖板，将玻璃片带有谐振子的面与封装盖板对准键合，形成贴片元器件的功能电极；制作玻璃感压薄膜和带导压孔的硅保护盖板，并将二者对准键合，制成压力传感器芯片。该制备方法完全与CMOS工艺兼容，利用本发明可以大批量制造无引线高真空封装的谐振式MEMS压力传感器，该传感器在工业自动化控制、航空航天、机器人、气象、环境等领域拥有广泛应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 玻璃 硅四层 结构 谐振 mems 压力传感器 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种硅硅玻璃硅四层结构谐振式MEMS压力传感器制备方法，其特征在于，包括：步骤S101：在硅片上制作凸台型阳极键合用锚定区，并在硅片用于阳极键合的面上做掺杂；步骤S201：在玻璃片上制作金属功能电极，将硅片与玻璃片对准阳极键合；步骤S301：在硅片的面上制作出谐振子；步骤S401：制作封装盖板，将玻璃片带有谐振子的面与封装盖板对准键合，形成贴片元器件的功能电极；步骤S501：制作玻璃感压薄膜和带导压孔的硅保护盖板，并将二者对准键合，制成压力传感器芯片。
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