[发明专利]Si基LED外延片及制造方法有效
| 申请号： | 201810092370.0 | 申请日： | 2018-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN108110108B | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 吴琼 | 申请（专利权）人： | 福建兆元光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/00 |
| 代理公司： | 35100 福州元创专利商标代理有限公司 | 代理人： | 蔡学俊;丘鸿超 |
| 地址： | 350109 福建省福州市*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明提出一种Si基LED外延片及制造方法，其特征在于，包括：Si衬底、在所述Si衬底上形成的缓冲层、以及在所述缓冲层上形成的发光结构；所述缓冲层包括在Si衬底上形成的第一AlN层、在第一AlN层上形成的GaN层、以及在GaN层上形成的第二AlN层。本发明克服了现有技术中，缓冲层为单一层AlN或其他构造的情况下，因为AlN和衬底之间的晶格失配以及热膨胀系数差值，为了遏制裂缝的产生必须在1000℃以上高温环境下形成的苛刻条件需求。且该结构能够显著减少位错缺陷，并且应用抗压应力能够防止产生裂缝，从而可以在Si衬底上形成带有低密度结晶缺陷且减少裂纹产生的发光二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 缓冲层 裂缝 发光二极管 热膨胀系数 发光结构 高温环境 结晶缺陷 晶格失配 苛刻条件 裂纹产生 位错缺陷 单一层 抗压 制造 应用 | ||
【主权项】：
1.一种Si基LED外延片，其特征在于，包括：Si衬底、在所述Si衬底上形成的缓冲层、以及在所述缓冲层上形成的发光结构；所述缓冲层包括在Si衬底上形成的第一AlN层、在第一AlN层上形成的GaN层、以及在GaN层上形成的第二AlN层；所述第一AlN层的形成和第二AlN层的形成是在200℃到400℃的温度条件下进行的；所述GaN层的形成是在500℃到700℃的温度条件下进行的。/n
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