[发明专利]衬底载体劣化检测及修复有效
| 申请号： | 201810084030.3 | 申请日： | 2018-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN109712867B | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 王仁地;林志威;黎辅宪;陈奕明;洪正和 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/673;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种方法，包括接收在内部具有多个晶圆的载体；向载体的入口供应净化气体；从载体的出口抽出排出气体；以及在执行净化气体的供应和排出气体的抽出的同时生成载体的健康指示器。本发明的实施例还涉及衬底载体劣化检测及修复。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 载体 检测 修复 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体制造的方法，包括：接收在内部具有多个晶圆的载体；向所述载体的入口供应净化气体；从所述载体的出口将排出气体抽出；以及在执行所述净化气体的供应和所述排出气体的抽出的同时，生成所述载体的健康指示器。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
