[发明专利]一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法

摘要

本发明提供了一种磁性随机存储器记忆单元及其制造方法，磁性随机存储器记忆单元包括种子层、垂直磁参考层、隧道势垒层、磁记忆层、氧化物覆盖层、金属顶覆盖层、易氧化金属层、刻蚀阻挡层、硬掩模层。制造步骤如下：(1)沉积上述各膜层；(2)图形化磁性隧道结，刻蚀硬掩模层并停止在刻蚀阻挡层上；(3)将刻蚀后暴露出来的硬掩模层、金属顶覆盖层和易氧化金属层的周边全部氧化形成电绝缘体，将磁性隧道结的周围覆盖保护起来；(4)刻蚀磁记忆层、隧道势垒层和垂直磁参考层，直到种子层；(5)形成电介质保护层保护刻蚀后的磁性隧道结单元，并填充电介质填充层，用化学机械抛光方式将表面磨平；(6)最后在磨平的磁性隧道结单元上形成顶电极通孔层。

主权项

1.一种磁性随机存储器记忆单元，其特征在于，包括：设置在CMOS基底上的底电极通孔层；设置在所述底电极通孔层上的种子层；设置在所述种子层上的垂直磁参考层，所述垂直磁参考层具有固定的垂直磁化方向；设置在所述垂直磁参考层上的隧道势垒层，所述隧道势垒层具有电绝缘性；设置在所述隧道势垒层上的磁记忆层，所述磁记忆层具有可变的垂直磁化方向；设置在所述磁记忆层上的氧化物覆盖层；设置在所述氧化物覆盖层上的金属顶覆盖层；设置在所述金属顶覆盖层上的易氧化金属层；设置在所述易氧化金属层上的刻蚀阻挡层；设置在所述刻蚀阻挡层上的硬掩模层；以及顶电极通孔层。