[发明专利]SONOS器件及其制造方法

摘要

本发明公开了一种SONOS器件，存储单元的选择管的第一栅极结构形成于浅沟槽中，第一栅极结构的第二侧形成有存储管的第二栅极结构以及底部的第二沟道区；在第一和第二栅极结构的两侧包括仅两个源漏注入区，能使存储单元呈1.5T型结构，从而能减少器件的面积。第一栅极结构的第一多晶硅栅和第二多晶硅栅在纵向和横向上无交叠，能降低第一和第二多晶硅栅之间的漏电，降低器件功耗，提高器件的可靠性，降低对第一和第二多晶硅栅之间绝缘层的质量要求，能防止第一和第二多晶硅栅之间的互相干扰。本发明还公开了一种SONOS器件的制造方法。

主权项

1.一种SONOS器件，其特征在于，SONOS器件的存储区的存储单元包括一个存储管和一个选择管；所述选择管的第一栅极结构包括：形成于第二导电类型半导体衬底表面的第一浅沟槽，形成于所述第一浅沟槽侧面和底部表面的第一栅介质层，填充于形成有所述第一栅介质层的所述第一浅沟槽中的第一多晶硅栅，在所述第一多晶硅栅表面形成有第一介质层；所述选择管的第一沟道区由位于所述第一浅沟槽的侧面和底部表面且被所述第一多晶硅栅覆盖的所述半导体衬底组成，所述第一沟道区呈增强型沟道结构；在所述第一栅极结构的第一浅沟槽第一侧的所述半导体衬底表面形成有由第一导电类型轻掺杂区组成的第二沟道区，所述第二沟道区呈耗尽型沟道结构；在所述第二沟道区的顶部形成有所述存储管的第二栅极结构，所述第二栅极结构包括依次形成于所述第二沟道区表面的ONO层和第二多晶硅栅，所述ONO层为由依次形成于所述第二沟道区表面的第二氧化层、第三氮化层和第四氧化层组成的三层结构；在所述第一多晶硅栅的第二侧的所述半导体衬底表面形成有第一导电类型重掺杂的第一源漏注入区；在所述第二多晶硅栅的第一侧的所述半导体衬底表面形成有第一导电类型重掺杂的第二源漏注入区；所述第一源漏注入区和所述第一多晶硅栅的第二侧自对准；所述第二源漏注入区和所述第二多晶硅栅的第一侧自对准；所述第一源漏注入区和所述第二源漏注入区通过所述第一沟道区和所述第二沟道区相连接并使所述存储单元呈1.5T型结构；所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅之间形成在纵向和横向上无交叠的隔离结构，用以降低所述第一多晶硅栅和所述第二多晶硅栅之间的漏电，降低器件的功耗和提高器件的可靠性。