[发明专利]一种MEMS压电传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201810014708.0 | 申请日： | 2018-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN108217581B | 公开（公告）日： | 2021-03-16 |
| 发明（设计）人： | 周文卿 | 申请（专利权）人： | 迈尔森电子（天津）有限公司 |
| 主分类号： | B81C3/00 | 分类号： | B81C3/00;B81B7/00;B81B7/02;G01L1/14 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 300381 天津市南开*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种MEMS压电传感器及其制作方法，第一衬底包括第一基底、位于第一基底一侧的至少一层导电层、信号处理电路和/或驱动电路，信号处理电路和/或驱动电路与导电层电连接；第二衬底包括第二基底以及位于第二基底一侧的第一电极和位于第一电极一侧的压电介质层；将第一衬底具有导电层的一侧与第二衬底具有第一电极和压电介质层的一侧贴合固定，并且，通过导电通孔将第一电极与导电层电连接后，可以通过信号处理电路接收形变后的第一电极输出的电信号，和/或通过驱动电路向第一电极输入电信号，使第一电极和压电介质层产生形变。基于此，不仅可以改善MEMS压电传感器的性能，而且降低了工艺难度，使得材料以及工艺的选择更广泛。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mems 压电 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种MEMS压电传感器的制作方法，其特征在于，包括：提供第一衬底，所述第一衬底包括第一基底、位于所述第一基底一侧的至少一层导电层、信号处理电路和/或驱动电路，所述信号处理电路和/或驱动电路与所述导电层电连接；提供第二衬底，所述第二衬底包括第二基底以及位于所述第二基底一侧的第一电极和位于所述第一电极一侧的压电介质层；将所述第一衬底具有所述导电层的一侧与所述第二衬底具有所述第一电极和所述压电介质层的一侧贴合固定，其中，所述第一衬底和所述第二衬底之间具有与所述第一电极对应的空腔；对所述第二衬底背离所述第一衬底的一侧进行减薄，去除全部或部分厚度的所述第二基底；形成用于电连接所述第一电极与所述导电层的导电通孔，以实现所述第一电极与所述信号处理电路和/或驱动电路的电连接。
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