[发明专利]一种MEMS压电传感器及其制作方法

权利要求书

1.一种MEMS压电传感器的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一衬底，所述第一衬底包括第一基底、位于所述第一基底一侧的至少一层导电层、信号处理电路和/或驱动电路，所述信号处理电路和/或驱动电路与所述导电层电连接；

提供第二衬底，所述第二衬底包括第二基底以及位于所述第二基底一侧的第一电极和位于所述第一电极一侧的压电介质层；

将所述第一衬底具有所述导电层的一侧与所述第二衬底具有所述第一电极和所述压电介质层的一侧贴合固定，其中，所述第一衬底和所述第二衬底之间具有与所述第一电极对应的空腔；

对所述第二衬底背离所述第一衬底的一侧进行减薄，去除全部或部分厚度的所述第二基底；

形成用于电连接所述第一电极与所述导电层的导电通孔，以实现所述第一电极与所述信号处理电路和/或驱动电路的电连接。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述压电介质层的表面或所述导电层内还具有第二电极，所述第二电极与所述第一电极对应。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一衬底具有所述导电层的一侧表面形成第一结合层，所述第一衬底和所述第二衬底通过所述第一结合层贴合固定，其中，所述第一结合层包括绝缘结构；或

在所述第二衬底具有所述第一电极和所述压电介质层的一侧表面形成第二结合层，所述第一衬底和所述第二衬底通过所述第二结合层贴合固定，其中，所述第二结合层包括绝缘结构。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一衬底具有所述导电层的一侧表面形成第一结合层，以及在所述第二衬底具有所述第一电极和所述压电介质层的一侧表面形成第二结合层，

所述第一衬底和所述第二衬底通过所述第一结合层和所述第二结合层贴合固定；

其中，所述第一结合层和所述第二结合层中至少一层包括绝缘结构。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成用于电连接所述第一电极与所述导电层的导电通孔，包括：

形成自所述第二衬底背离所述第一衬底的一侧贯穿至所述导电层的第一导电通孔；

形成自所述第二衬底背离所述第一衬底的一侧贯穿至所述第一电极的第二导电通孔；

其中，所述第一导电通孔与所述第二导电通孔直接电连接，或者，所述第一导电通孔与所述第二导电通孔通过位于所述第二衬底背离所述第一衬底的一侧的导电连接结构电连接。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述第一衬底具有所述导电层的一侧与所述第二衬底具有所述第一电极和所述压电介质层的一侧贴合固定之前，还包括：

在所述第一衬底具有所述导电层的一侧和/或所述第二衬底具有所述第一电极和所述压电介质层的一侧形成第一开口，以使贴合固定后的所述第一衬底和所述第二衬底之间的所述第一开口构成所述空腔。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一衬底背离所述第二衬底的一侧形成第二开口，所述第二开口的位置与所述第一电极的位置对应。

8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二衬底包括基底、位于所述基底表面的绝缘层以及位于所述绝缘层表面的半导体层，所述基底为所述第二基底,所述方法还包括：

利用所述半导体层形成所述第一电极，或在所述半导体层上形成所述第一电极。

9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

在所述第一衬底具有所述导电层的一侧形成第三电极，所述第三电极为自测电极，所述自测电极的位置与所述第一电极的位置相对应。

10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：

形成自所述第二衬底背离所述第一衬底的一侧贯穿至所述空腔的第三开口。