[发明专利]一种LED芯片、制备方法及LED晶片有效
| 申请号： | 201810001838.0 | 申请日： | 2018-01-02 |
| 公开（公告）号： | CN108198933B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 贾钊;赵炆兼;张双翔;杨凯;陈凯轩 | 申请（专利权）人： | 扬州乾照光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/64 | 分类号： | H01L33/64;H01L33/00 |
| 代理公司： | 11371 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 邓超 |
| 地址： | 225000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请提供了一种LED芯片、制备方法及LED晶片，其中，该LED芯片包括：衬底、依次形成于所述衬底上的外延层和第一电极层，以及，形成于所述衬底背面的导热层；所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述第一电极层和所述外延层的一侧被蚀刻暴露出所述N型层，在暴露出的N型层上形成第二电极层；所述第一电极层，用于接入电源正极；所述第二电极层，用于接入电源负极；所述衬底背面设置有多个嵌入所述衬底内的散热槽；所述导热层填充所述散热槽。本申请实施例通过在衬底背面设置导热层，提高了LED芯片的散热性。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 第一电极 导热层 外延层 衬底背面 第二电极 接入电源 散热槽 制备 蚀刻 正极 负极 发光层 散热性 暴露 申请 填充 嵌入 | ||
【主权项】：
1.一种LED芯片，其特征在于，包括：衬底、依次形成于所述衬底上的外延层和第一电极层，以及，形成于所述衬底背面的导热层；/n所述外延层包括依次形成于所述衬底上的N型层、发光层、P型层，所述第一电极层和所述外延层的一侧被蚀刻暴露出所述N型层，在暴露出的N型层上形成第二电极层；/n所述第一电极层，用于接入电源正极；所述第二电极层，用于接入电源负极；/n所述衬底背面设置有多个嵌入所述衬底内的散热槽；/n所述导热层填充所述散热槽；/n所述散热槽在所述衬底背面呈不均匀分布，使得所述LED芯片产生的热量在各散热槽处产生温度差。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于扬州乾照光电有限公司，未经扬州乾照光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810001838.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：发光二极体封装结构及发光二极体模组
- 下一篇：一种复合热电材料及其制备方法
