[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示装置在审
| 申请号： | 201780095838.5 | 申请日： | 2017-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN111201613A | 公开（公告）日： | 2020-05-26 |
| 发明（设计）人： | 叶江波;何家伟 | 申请（专利权）人： | 深圳市柔宇科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518172 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 提供了薄膜晶体管及其制备方法、显示基板和显示装置，该制备薄膜晶体管的方法包括提供栅极(400)、源极(600)、漏极(700)与有源层(100)，所述源极(600)与漏极(700)分别与所述有源层(100)相接触，所述栅极(400)与所述源极(600)、漏极(700)和有源层(100)电性绝缘，其中，所述薄膜晶体管的源极(600)与漏极(700)通过以下步骤形成：在有源层(100)的上表面形成金属层(200)；在所述金属层(200)上形成上端开口的凹槽(300)，所述凹槽(300)的底部与所述有源层(100)之间保留有残留金属层(211)；对所述残留金属层(211)进行氧化处理，形成金属氧化物层(212)。该制备薄膜晶体管的方法操作简单、方便，容易实现，易于工业化生产，产能高，在蚀刻所述金属层(200)以形成源极(600)和漏极(700)时可以保护有源层(100)不被蚀刻，从而使得由该方法制备的薄膜晶体管具有优异的电学性能以及良好的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制备 方法 显示 显示装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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