[发明专利]在加工晶圆中使用的保护片、用于晶圆的处理系统以及晶圆与保护片的组合体有效
| 申请号： | 201780090967.5 | 申请日： | 2017-05-18 |
| 公开（公告）号： | CN110663106B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 卡尔·海因茨·普里瓦涉 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/78;H01L21/304;H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在加工半导体尺寸晶圆(W)中使用的保护片(10，110，210，310，410)。保护片(10，110，210，310，410)包括保护膜(4)和缓冲层(8)，该缓冲层(8)附接至保护膜(4)的背表面(4b)。至少在保护片(10，110，210，310，410)的中心区域中，未将粘合剂施加至保护片(10，110，210，310，410)的前表面(4a)和背表面(8b，9b)，中心区域具有等于或大于半导体尺寸晶圆(W)外径的外径。另外，本发明涉及一种用在加工晶圆(W)中的保护片(10，310，410)，保护片(10，310，410)包括保护膜(4)和缓冲层(8)，该缓冲层(8)附接至保护膜(4)的背表面(4b)，其中，在保护片(10，310，410)的整个前表面(4a)和整个背表面(8b，9b)上，没有施加粘合剂。而且，本发明涉及一种用于半导体尺寸晶圆(W)处理系统，并且涉及一种组合体，该组合体包括晶圆(W)和保护片(10，110，210，310，410)。 | ||
| 搜索关键词： | 加工 晶圆中 使用 保护 用于 处理 系统 以及 组合 | ||
【主权项】：
1.一种在加工半导体尺寸晶圆(W)中使用的保护片(10，110，210，310，410)，所述保护片(10，110，210，310，410)包括：/n保护膜(4)；和/n缓冲层(8)，其附接至所述保护膜(4)的背表面(4b)，/n其中，至少在所述保护片(10，110，210，310，410)的中心区域中，未将粘合剂施加至所述保护片(10，110，210，310，410)的前表面(4a)和背表面(8b，9b)，所述中心区域具有等于或大于所述半导体尺寸晶圆(W)的外径的外径。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
