[发明专利]半导体装置、显示装置及溅射靶在审
| 申请号： | 201780090747.2 | 申请日： | 2017-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110651370A | 公开（公告）日： | 2020-01-03 |
| 发明（设计）人： | 川田京慧;福吉健蔵 | 申请（专利权）人： | 凸版印刷株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;C23C14/08;C23C14/34;H01L21/363 |
| 代理公司： | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 白丽 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体装置具备基板、设置在所述基板的一个面上的导电布线、以及电连接于所述导电布线的薄膜晶体管。所述导电布线具有铜层或铜合金层被第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持的3层构成。所述第一导电性金属氧化物层及所述第二导电性金属氧化物层含有氧化铟。所述薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的沟道层。所述氧化物半导体是含有氧化铟、氧化锑、以及具有少于所述氧化铟及所述氧化锑的各自量的量的氧化铈的复合氧化物。所述氧化物半导体中，当将不计氧的元素的合计设为100原子％时，铟及锑的各自的量为40原子％以上。 | ||
| 搜索关键词： | 导电性金属氧化物 氧化物半导体 导电布线 氧化铟 薄膜晶体管 氧化锑 基板 半导体装置 复合氧化物 铜合金层 电连接 沟道层 氧化铈 夹持 铜层 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具备：/n基板；/n设置在所述基板的一个面上的导电布线；以及/n电连接于所述导电布线的薄膜晶体管，/n所述导电布线具有铜层或铜合金层被第一导电性金属氧化物层和第二导电性金属氧化物层夹持的3层构成，/n所述第一导电性金属氧化物层及所述第二导电性金属氧化物层含有氧化铟，/n所述薄膜晶体管具有由氧化物半导体构成的沟道层，/n所述氧化物半导体是含有氧化铟、氧化锑、以及具有少于所述氧化铟及所述氧化锑的各自量的量的氧化铈的复合氧化物，/n所述氧化物半导体中，当将不计氧的元素的合计设为100原子％时，铟及锑的各自的量为40原子％以上。/n
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