[发明专利]基板处理装置及基板处理方法有效
申请号: | 201780080649.0 | 申请日: | 2017-11-28 |
公开(公告)号: | CN110114859B | 公开(公告)日: | 2023-09-08 |
发明(设计)人: | 安田周一;小林健司 | 申请(专利权)人: | 株式会社斯库林集团 |
主分类号: | H01L21/306 | 分类号: | H01L21/306;H01L21/304 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 在供第一供给液及第二供给液分别流动的第一以及第二供给液管路(412、422)设置有第一以及第二浓度测定部(415、425)。第二供给液中的气体的溶解浓度比第一供给液低。第一以及第二分支管路(51、52)的一端分别连接于第一以及第二供给液管路中比浓度测定部更靠上游侧的位置。第一以及第二分支管路的另一端连接于混合部(57),且混合第一以及供给液来生成处理液。基于第一以及第二浓度测定部的测定值来控制第一以及第二分支管路的流量调整部(58),以使处理液中的气体的溶解浓度成为设定值。由此,能一边防止包含因浓度测定部所引起的颗粒等的供给液,包含在供给至基板的处理液中,一边能使处理液中的气体的溶解浓度高精度地调整至设定值。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 方法 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,通过处理液来处理基板,具备:第一供给液管路,供第一供给液连续地流动;第一浓度测定部,设置于所述第一供给液管路,用以测定所述第一供给液中的规定的气体的溶解浓度;第二供给液管路,供所述气体的溶解浓度比所述第一供给液低的第二供给液连续地流动;第二浓度测定部,设置于所述第二供给液管路,用以测定所述第二供给液中的所述气体的溶解浓度;处理液调整部,混合所述第一供给液和所述第二供给液,以生成所述气体的溶解浓度经调整后的处理液;基板处理部,将所述处理液供给至基板来处理所述基板;以及控制部,所述处理液调整部具备:第一分支管路,一端连接于所述第一供给液管路中比所述第一浓度测定部更靠上游侧的连接位置,且供所述第一供给液流动;第二分支管路,一端连接于所述第二供给液管路中比所述第二浓度测定部更靠上游侧的连接位置,且供所述第二供给液流动;流量调整部,设置于所述第一分支管路或所述第二分支管路;以及混合部,供所述第一分支管路的另一端、及所述第二分支管路的另一端连接,且通过混合所述第一供给液和所述第二供给液来生成所述处理液;所述控制部基于所述第一浓度测定部的测定值及所述第二浓度测定部的测定值来控制所述流量调整部,以使所述处理液中的所述气体的溶解浓度成为设定值。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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