[发明专利]经蚀刻的平坦化的竖直腔表面发射激光器

摘要

一种经蚀刻的平坦化的VCSEL包括：包括MQW(138，140)的有源区(122)；在有源区上方的阻挡区(127，160)，其可以由InGaP制成，并且在其中限定孔；孔中的导电沟道芯(129，162)，其可以由AIGaAs制成，其中，导电沟道芯和阻挡区形成隔离区(128)。VCSEL可以包括间隔层(148，150)。一种制造VCSEL的方法包括：形成有源区；在有源区上方形成阻挡区；在阻挡区中蚀刻孔；以及在阻挡区的孔中形成导电沟道芯。另一经蚀刻的平坦化的VCSEL包括：有源区；在有源区上方的导电区，且在其中限定孔；以及在孔中的阻挡芯，其中，阻挡芯和导电区形成隔离区。一种制造VCSEL的方法包括：形成有源区；在有源区上方形成导电区；在导电区中蚀刻孔；以及在导电区的孔中形成阻挡芯。这种提供用于VCSEL的当前孔避免了通过VCSEL的台面中的层的横向氧化而提供的当前孔的可靠性问题。

主权项

1.一种经蚀刻的平坦化的竖直腔表面发射激光器(VCSEL)，包括：有源区；在所述有源区上方的阻挡区，所述阻挡区在其中限定一个或更多个孔；以及在所述阻挡区的所述一个或更多个孔中的一个或更多个导电沟道芯，其中，所述一个或更多个导电沟道芯和所述阻挡区形成隔离区。