[发明专利]用于低损坏率和高处理量等离子体处理的大面积VHF PECVD腔室有效

专利信息
申请号: 201780055121.8 申请日: 2017-07-31
公开(公告)号: CN109690728B 公开(公告)日: 2021-04-06
发明(设计)人: 盛殊然;阿部忍;桑原庆太;崔苏河 申请(专利权)人: 应用材料公司
主分类号: H01J37/32 分类号: H01J37/32
代理公司: 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 代理人: 徐金国;赵静
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 本文公开的实施方式总体涉及用于改变在等离子体处理腔室中沉积的薄膜的均匀性图案的等离子体处理系统,所述等离子体处理系统包括至少一个VHF功率发生器,所述至少一个VHF功率发生器耦接到所述等离子体处理腔室内的扩散器。每个VHF功率发生器的馈送位置偏移以及经由相位调制和扫描而对每个VHF功率发生器进行的控制通过补偿因驻波效应引起的由所述腔室产生的薄膜图案的不均匀性来允许等离子体均匀性改善。可以通过对施加在不同的耦接点处的VHF功率之间的动态相位调制而产生耦接到背板上的不同位置和/或设置在所述背板上的不同位置处的所述多个VHF功率发生器之间的功率分配。
搜索关键词: 用于 损坏 处理 等离子体 大面积 vhf pecvd
【主权项】:
1.一种等离子体处理腔室,包括:扩散器;背板,耦接到所述扩散器,其中所述背板具有第一角落位置、第二角落位置、第三角落位置和第四角落位置,并且其中所述背板在所述背板的大致中心处具有开口以用于气体馈送装置;和VHF功率发生器,在所述第一角落位置、所述第二角落位置、所述第三角落位置和所述第四角落位置处耦接到所述背板。
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