[发明专利]干燥高深宽比特征有效
| 申请号： | 201780046110.3 | 申请日： | 2017-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN109478499B | 公开（公告）日： | 2023-08-04 |
| 发明（设计）人： | 艾里克·J·伯格曼;约翰·L·克洛克;保罗·麦克休;斯图亚特·拉奈;理查德·W·普拉维达尔 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种干燥半导体基板的方法可包括将干燥剂施加到半导体基板上，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热到高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到达到腔室内的干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使干燥剂的液相从半导体基板蒸发。 | ||
| 搜索关键词： | 干燥 高深 特征 | ||
【主权项】：
1.一种干燥半导体基板的方法，所述方法包括以下步骤：将干燥剂施加到半导体基板上，其中所述干燥剂润湿所述半导体基板；将容纳所述半导体基板的腔室加热到高于所述干燥剂的大气压沸点的温度，直到达到所述腔室内的所述干燥剂的气液平衡；和使所述腔室通气，其中所述通气使所述干燥剂的液相从所述半导体基板蒸发。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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