[发明专利]干燥高深宽比特征

权利要求书

1.一种干燥半导体基板的方法，所述方法包括以下步骤：

将干燥剂施加到半导体基板上，其中所述干燥剂润湿所述半导体基板；

将容纳所述半导体基板的腔室加热到高于所述干燥剂的大气压沸点的温度，直到达到所述腔室内的所述干燥剂的气液平衡，其中所述干燥剂的所述气液平衡沿着所述干燥剂的沸点曲线而维持；和

使所述腔室通气，其中所述通气使所述干燥剂的液相从所述半导体基板蒸发。

2.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，进一步包括以下步骤：

对所述腔室内的所述半导体基板进行压力密封；

加热容纳所述半导体基板的所述腔室，所述加热使所述干燥剂的气相和液相达到蒸气分压和液体饱和压力的平衡；和

继续将容纳所述半导体基板的所述腔室加热至至少100℃的温度。

3.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，其中所述干燥剂可与水混溶。

4.如权利要求3所述的干燥半导体基板的方法，其中所述干燥剂包括异丙醇。

5.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，其中所述半导体基板包括具有深宽比大于5的图案化特征，且其中所述干燥剂完全润湿所述图案化特征。

6.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，其中施加所述干燥剂的步骤从所述半导体基板完全移除水。

7.如权利要求6所述的干燥半导体基板的方法，其中施加所述干燥剂的步骤包括从所述半导体基板完全移除除了所述干燥剂之外的任何流体的一个或多个操作。

8.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，其中所述加热的步骤藉由以下步骤执行：

气密地封闭所述腔室以及容纳在所述腔室内的包括所施加的所述干燥剂的所述半导体基板；

加热所述腔室，导致在所述干燥剂的液相和气相之间达到平衡；和

将所述腔室加热到高于所述干燥剂的所述大气压沸点的温度。

9.如权利要求1所述的干燥半导体基板的方法，进一步包含以下步骤：在所述通气之后用惰性前驱物净化所述腔室。

10.一种干燥基板的方法，所述方法包括以下步骤：

将干燥剂施加到所述基板上，其中所述干燥剂润湿所述基板；

气密地密封容纳所述基板的腔室；

在所述腔室内形成所述干燥剂的气液平衡；

增加所述腔室内的温度，以将所述干燥剂的液体部分的干燥剂表面张力降低到低于从所述基板脱湿和移除所述干燥剂的液体部分的预定阈值并达成新的气液平衡；和

减压所述腔室，其中所述减压实质上从所述基板移除液体干燥剂。

11.如权利要求10所述的干燥基板的方法，其中所述预定阈值包括20mN/m的干燥剂表面张力。

12.如权利要求10所述的干燥基板的方法，其中施加所述干燥剂的步骤包括以下步骤：在图案化特征的高度上方用所述干燥剂涂布所述基板。

13.如权利要求10所述的干燥基板的方法，其中所述干燥剂的特征在于在21℃下的表面张力小于25mN/m。

14.如权利要求10所述的干燥基板的方法，其中所述减压期间的所述干燥剂的接触角维持大于70°或70°。

15.如权利要求10所述的干燥基板的方法，其中所述减压期间的腔室压力维持在大气压以上。