[发明专利]二氧化硅系复合微粒分散液及其制造方法在审
申请号: | 201780024719.0 | 申请日: | 2017-04-05 |
公开(公告)号: | CN109155246A | 公开(公告)日: | 2019-01-04 |
发明(设计)人: | 俵迫祐二;小松通郎;中山和洋;岩崎幸博;若宫義宪;川上翔大;碓田真也 | 申请(专利权)人: | 日挥触媒化成株式会社 |
主分类号: | H01L21/304 | 分类号: | H01L21/304;B24B37/00;C01B33/149;C01B33/18;C09K3/14 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;李茂家 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的在于,提供即使是二氧化硅膜、Si晶圆、难加工材料也可以以高速进行研磨,同时可以达成高面精度(低擦痕等),可以优选用于半导体基板、布线基板等半导体装置的表面的研磨的二氧化硅系复合微粒分散液。通过含有二氧化硅系复合微粒的二氧化硅系复合微粒分散液来解决上述问题,所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述特征。前述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11~316。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时,仅检出二氧化铈的结晶相。前述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射进行测定得到的前述结晶性二氧化铈的微晶粒径为10~25nm。 | ||
搜索关键词: | 二氧化硅 复合微粒 二氧化铈 分散液 研磨 结晶性 非晶质二氧化硅 半导体基板 半导体装置 二氧化硅膜 难加工材料 布线基板 微晶粒径 结晶相 母颗粒 质量比 子颗粒 擦痕 高面 检出 晶圆 优选 制造 | ||
【主权项】:
1.一种二氧化硅系复合微粒分散液,其含有平均粒径50~350nm的二氧化硅系复合微粒,所述二氧化硅系复合微粒在将非晶质二氧化硅作为主要成分的母颗粒的表面上具有将结晶性二氧化铈作为主要成分的子颗粒、且具备下述[1]~[3]的特征,[1]所述二氧化硅系复合微粒的二氧化硅与二氧化铈的质量比为100:11~316,[2]所述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射时,仅检出二氧化铈的结晶相,[3]所述二氧化硅系复合微粒供于X射线衍射进行测定得到的所述结晶性二氧化铈的微晶粒径为10~25nm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造