[实用新型]扇出型晶圆级封装结构有效

专利信息
申请号: 201720729908.5 申请日: 2017-06-21
公开(公告)号: CN206931590U 公开(公告)日: 2018-01-26
发明(设计)人: 陈彦亨;林正忠;何志宏;吴政达 申请(专利权)人: 中芯长电半导体(江阴)有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L21/56
代理公司: 上海光华专利事务所(普通合伙)31219 代理人: 余明伟
地址: 214437 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型提供一种扇出型晶圆级封装结构,所述封装结构包括散热层;位于散热层上表面的接合层;位于接合层上表面的芯片结构,所述芯片结构包括裸芯片及位于裸芯片上、并与裸芯片进行电连接的接触焊盘,其中,接触焊盘所在表面为芯片结构的上表面,且芯片结构的上表面远离接合层;位于散热层上表面、接合层及芯片结构侧壁表面的塑封层;位于塑封层及芯片结构上表面的重新布线层,重新布线层与接触焊盘进行电连接;以及位于重新布线层上表面的焊球凸块,所述焊球凸块与重新布线层进行电连接。通过本实用新型的扇出型晶圆级封装结构,解决了现有扇出型封装结构由于在其背面安装散热片导致器件尺寸较大的问题。
搜索关键词: 扇出型晶圆级 封装 结构
【主权项】:
一种扇出型晶圆级封装结构,其特征在于,所述封装结构包括:散热层;位于所述散热层上表面的接合层;位于所述接合层上表面的芯片结构,所述芯片结构包括裸芯片及位于所述裸芯片上、并与所述裸芯片进行电连接的接触焊盘,其中,所述接触焊盘所在表面为芯片结构的上表面,且所述芯片结构的上表面远离所述接合层;位于所述散热层上表面、接合层及芯片结构侧壁表面的塑封层;位于所述塑封层及芯片结构上表面的重新布线层,所述重新布线层与所述接触焊盘进行电连接;以及位于所述重新布线层上表面的焊球凸块,所述焊球凸块与所述重新布线层进行电连接。
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