[实用新型]一种提高碳化硅单晶质量的生长坩埚有效
| 申请号： | 201720574147.0 | 申请日： | 2017-05-22 |
| 公开（公告）号： | CN207193434U | 公开（公告）日： | 2018-04-06 |
| 发明（设计）人： | 胡小波;徐现刚;杨祥龙;陈秀芳;彭燕 | 申请（专利权）人： | 山东大学 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 济南金迪知识产权代理有限公司37219 | 代理人： | 张宏松 |
| 地址： | 250199 山*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种提高碳化硅单晶质量的生长坩埚，它包括外坩埚，外坩埚端口设置有密封外坩埚的坩埚盖，其特征在于，在外坩埚内设置有内坩埚，所述的内坩埚包括底壁和侧壁，侧壁为双层侧壁，双层侧壁包括内壁和外壁，内壁上设置有贯穿内壁的小孔，底壁设置在内壁与外壁之间的底部，内壁围成的腔室为上下中空结构，双层侧壁上端口设置有密封内壁与外壁之间夹层的环形端盖。该坩埚结构简单，该坩埚结构将处于高温位置容易碳化的SiC粉料封闭于内坩埚的内壁与外壁之间的夹层中，使粉碳化后的微小碳颗粒不能输运到籽晶表面，大大减少SiC单晶中的碳包裹体，提高了碳化硅单晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 碳化硅 质量 生长 坩埚 | ||
【主权项】：
一种提高碳化硅单晶质量的生长坩埚，包括外坩埚，外坩埚端口设置有密封外坩埚的坩埚盖，其特征在于，在外坩埚内设置有内坩埚，所述的内坩埚包括底壁和侧壁，侧壁为双层侧壁，双层侧壁包括内壁和外壁，内壁上设置有贯穿内壁的小孔，底壁设置在内壁与外壁之间的底部，内壁围成的腔室为上下中空结构，双层侧壁上端口设置有密封内壁与外壁之间夹层的环形端盖。
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