[实用新型]多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统有效
申请号: | 201720416429.8 | 申请日: | 2017-04-19 |
公开(公告)号: | CN206607315U | 公开(公告)日: | 2017-11-03 |
发明(设计)人: | 张广宇;杨蓉;时东霞;成蒙;谢贵柏 | 申请(专利权)人: | 中国科学院物理研究所 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513 |
代理公司: | 北京市正见永申律师事务所11497 | 代理人: | 黄小临,冯玉清 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种可用于生长二维材料的多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统。现有技术的薄膜生长装置并不适于低温外延生长二维材料,而且结构复杂,功能单一,操作和维护不便,价格昂贵。本实用新型的系统利用石英管体来形成生长腔室,并且通过将等离子体生成装置在生长腔室的上游,并且与沉积衬底间隔开一距离,能够有效的控制等离子体的强度和密度,增强沉积过程的可控性,实现生长高质量的二维材料薄膜。而且,通过使用等离子体装置,不仅能够生长二维材料,而且还能够修饰或蚀刻二维材料,以及利用等离子体对管体进行清洁,实现了多种功能,并且操作和维护都十分方便。本实用新型的沉积系统成本节省,能广泛用于工厂和实验室的二维材料制备。 | ||
搜索关键词: | 多功能 电感 耦合 等离子体 增强 化学 沉积 系统 | ||
【主权项】:
一种多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统,其特征在于,该系统包括:用于容纳沉积衬底的管体,所述管体的上游端设置有至少一个气体入口,下游端设置有抽真空接口;恒温炉,围绕所述管体的容纳有所述沉积衬底的部分;以及电感耦合等离子体发生装置,围绕所述管体的位于所述恒温炉上游的部分,从而在沿所述管体的轴线的方向上与所述沉积衬底间隔开一距离。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的