[发明专利]一种黑色氧化锆陶瓷材料组合物及其应用在审

申请号：	201711498437.2	申请日：	2017-12-28
公开（公告）号：	CN108033789A	公开（公告）日：	2018-05-15
发明（设计）人：	邱基华;李喜宏;白姣姣	申请（专利权）人：	潮州三环（集团）股份有限公司
主分类号：	C04B35/49	分类号：	C04B35/49
代理公司：	广州三环专利商标代理有限公司 44202	代理人：	宋静娜;郝传鑫
地址：	515646 ***	国省代码：	广东;44
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摘要：	本发明公开了一种黑色氧化锆陶瓷材料组合物，包含以下质量百分含量的成分：氧化铁0.01‑4％、氧化钴0.01‑3.5％、氧化铝0.01‑15％、氧化锌0‑3.5％、氧化钇2‑7％、氧化钛0‑4％、二氧化硅0.01‑1.0％，余量为含有氧化铪的氧化锆。本发明通过在氧化锆陶瓷粉体里面添加黑色的着色剂，控制所添加的二氧化硅和氧化铝的粒度，提高氧化锆陶瓷的遮盖力和黑度，降低其透光度，提高其成型瓷体的机械强度，保证产品颜色和强度两方面的优异效果。同时，本发明还公开了采用所述黑色氧化锆陶瓷材料组合物制备而成的黑色氧化锆陶瓷以及所述黑色氧化锆陶瓷的制备方法。
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【主权项】：

1.一种黑色氧化锆陶瓷材料组合物，其特征在于，包含以下质量百分含量的成分：氧化铁0.01-4％、氧化钴0.01-3.5％、氧化铝0.01-15％、氧化锌0-3.5％、氧化钇2-7％、氧化钛0-4％、二氧化硅0.01-1.0％，余量为含有氧化铪的氧化锆。

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摘要：本发明公开了一种无铅压电陶瓷的制备工艺，涉及压电陶瓷技术领域；该压电陶瓷的成分包括：主相：钛酸钡；副相：氧化镁、氧化锆和氧化钛；所述制备工艺具体包括如下步骤：将钛酸钡、氧化镁、氧化锆、氧化钛和聚乙烯醇按照配方比例称量；将原材料通过球磨机进行混合，并加入乙醇作为助剂；将混合后的原材料经过过筛处理，加入聚乙烯醇作为粘结剂，制备成型料；将制备好的成型料放入模具中，进行压制成型，并进行预烧处理。本发明的无铅压电陶瓷与传统的含铅压电陶瓷相比，本发明所制备的无铅压电陶瓷更加环保，符合现代社会对环保材料的需求；具有很高的压电系数和介电常数，可广泛应用于高精度的压电传感器和压电驱动器等领域。

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申请日： 2023-07-12 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： C04B35/49
摘要：本发明涉及压电陶瓷技术领域，具体公开了一种阴离子改性的压电陶瓷及其制备方法，压电陶瓷的化学通式为：Ba0.86Sr0.14Ti0.92Zr0.08O3‑0.16xF0.32x，其中，x为用氟化锆ZrF4取代氧化锆ZrO2的摩尔比，0.2≤x≤1。本发明利用ZrF4取代部分ZrO2作为原料，实现F‑取代O2‑，进而实现阴离子掺杂。相较于O2‑，F‑的化学价更低、电负性更强，有利于形成晶格缺陷，并增大化学键强度，从而增强铁电极性，进而提升压电陶瓷的压电和介电性能，使压电陶瓷具有超高的压电和介电性能，压电常数d33最高可达950~1245pC/N，室温相对介电常数εr可达3201~3786；远高于钛酸钡陶瓷的压电性能。

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申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C04B35/49
摘要：本发明涉及一种具有高储能密度的高熵弛豫铁电陶瓷材料及其制备方法。所述高熵弛豫铁电陶瓷材料的化学成分符合化学通式为Na0.2Ba0.2K0.2Bi0.2Ca0.2Nb0.2Ti0.8−xZrxO3，其中0≤x≤0.09。

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摘要：一种具有低阻高发电性能的无铅压电陶瓷材料及制备方法，属于无铅压电陶瓷材料技术领域。在Ba0.85Ca0.15Zr0.1Ti0.9O3陶瓷中用低电阻率的BaSnO3取代部分的BaZrO3，在压电常数基本不变的同时，使陶瓷材料的电阻率显著降低，从而获得了极高的电流密度和功率密度，在压电能量收集器应用领域具有重要前景。

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摘要：本发明公开了一种太阳能光谱宽频吸收材料及其制备方法，所述太阳能光谱宽频吸收材料为钛锆酸铜钙陶瓷，化学表达式为CaCu3Ti4‑xZrxO12，其中x=0或0.1，制备方法为太阳能光谱宽频吸收材料陶瓷预烧粉体的制备；太阳能光谱宽频吸收材料生坯样品的制备；太阳能光谱宽频吸收材料的高温烧结；CaCu3Ti4O12太阳光吸收率为0.80，红外发射率为0.71，在2.45GHz微波条件下140s，热平衡温度达到490℃以上；CaCu3Ti3.9Zr0.1O12太阳光吸收率和红外发射率分别为0.85，0.75，30倍太阳光功率辐照下5分钟热平衡温度达到230℃以上。

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摘要：一种介电陶瓷组合物，包括主要成分，该主要成分包括由下式表示的氧化物：UaXbYcZd((Ca1‑x‑ySrxMy)m(Zr1‑u‑vTiuHfv)O3)1‑a‑b‑c‑d，其中限定了由U、X、Y、Z和M定义的元素以及下标a、b、c、d、x、y、m、u和v。

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摘要：本发明提供一种低电场高储能和超快放电速率钛酸铋钠基陶瓷材料及其制备方法，化学式为：(Na0.5Bi0.5)0.94Ba0.06(Ti1‑xZrx)O3，其中，0.04≤x≤0.20。通过控制Zr4+的固溶量，在1150～1200℃烧结获得致密的钛酸铋钠基陶瓷。室温下可获得可达2.83J/cm3和73.89％的储能性能，在室温和100kV/cm电场强度下的电流密度可达519A/cm2，功率密度可达26MW/cm3，放电时间短至69.8ns。有效的克服了钛酸铋钠基陶瓷介质材料介电击穿场强和储能密度较低、介电损耗较大的缺点，所制备的钛酸铋钠基储能陶瓷介质材料表现出优异的储能性能，并且具有良好的温度和频率稳定性，适用于较宽的工作温度、频率范围和应用领域，且具有较大的功率密度和超快的放电速率，有望应用于先进的储能系统。

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摘要：本申请提供陶瓷材料及其制备方法和应用，制备方法包括：制备包含锆英石粉和钛白粉的浆料，浆料进行干燥后得到基质料；将基质料和锆英砂混合后得到混合料，混合料中基质料的质量占比为60％～80％，混合料中锆英砂的质量占比为20％～40％，锆英砂的直径大于锆英石粉的直径；对混合料依次进行制备坯体和烧结，得到陶瓷材料。本申请中的陶瓷材料致密，气孔率低且表面耐侵蚀能力强，具有优越的抗热震性能。

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摘要：本发明涉及一种高性能的陶瓷介质材料及其制备方法，所述高性能的陶瓷介质材料由主成分和改性掺杂剂组成，所述主成分为BaTiO3；所述改性掺杂剂包括BaxSr1‑x(ZrySn1‑y)O3，x＝0.2～0.9,y＝0.1～0.8，Bi2Zr2O7，还包括下列组分中的三种或三种以上：ZnO、Al2O3、WO3、Nb2O5、ZrO2、Li2CO3、Nd2O3、Sm2O3或MnCO3。所述高性能的陶瓷介质材料的烧成温度1250～1320℃，介电常数15000～21000可调，介质损耗≦0.75％，抗电强度≧5KVAc/mm，温度特性变化率小于+20‑80％(‑25～85℃)，适用制作Y5V特性瓷介电容器。

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摘要：本发明提供一种人工玉陶及其制备方法，属于人工玉陶技术领域，以重量份计包括ZrO2 70‑85份，Y2O3 10‑17份，TiO2 2‑7份，ZnO 1‑5份，MgO0.2‑0.7份，La2O3 0.2‑0.7份，CaO 0.2‑0.7份，PVA 1‑1.5份，CMC 0.5‑1.2份，聚丙烯酸钠1‑3份。通过配方设计优化，使产品多晶结构细密、无裂纹，提升产品的硬度和透明度，获得玉质感和品质更高的人工玉陶。

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发明人：郭伟明;艾曲;孙世宽;陈原彬;林华泰 -专利权人：广东工业大学
申请日： 2022-11-29 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C04B35/49
摘要：本发明属于高放射性固态核废料固化处理技术领域，公开了一种Ce‑Cr‑Fe共掺钙钛矿陶瓷固化体及其制备方法和应用。所述共掺钙钛锆石型陶瓷固化体的化学式为Ca1‑xCexZrTi2‑2xCrxFexO7，其中x＝0.05～0.35。本发明是将钛酸钙、二氧化钛、氧化锆、氧化铈、铁粉和铬粉混合、球磨、干燥、成型后，将陶胚在650～900℃煅烧，再升温至1200～1400℃进行烧结，制得Ce‑Cr‑Fe共掺的钙钛锆石陶瓷固化体。本发明制备的钙钛锆陶瓷石固化体主要相为钙钛锆石，避免了相分离，致密度高，化学性质稳定，核素浸出率低，适合长期深层地质存储。

钛酸铋钠-锆钛酸钡无铅宽温储能陶瓷及其制备方法-202210079541.2
发明人：郝华;潘子璇 -专利权人：武汉理工大学
申请日： 2022-01-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C04B35/49
摘要：本发明公开了一种钛酸铋钠‑锆钛酸钡无铅宽温储能陶瓷及其制备方法。该陶瓷材料的分子式为(1‑x)Bi0.51Na0.47TiO3‑xBaZryTi1‑yO3‑zSm，其中，x、y、z分别表示锆钛酸钡、锆离子、钐离子的摩尔分数；其中，0.45≤x≤0.55，0.3≤y≤0.45，0≤z≤0.08。本发明通过向钛酸铋钠陶瓷体系引入锆钛酸钡来提高其储能性能的同时，对高温方向的温度稳定性有所提高，进一步引入钐离子对其低温方向温度稳定性进行提高，从而得到具有良好温度稳定性的钛酸铋钠基无铅储能陶瓷。

一种大介电常数微波介质陶瓷及其制备方法-202211651268.2
发明人：吉岸;王晓慧;金镇龙;董世学 -专利权人：无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司
申请日： 2022-12-21 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/49
摘要：本发明是一种大介电常数微波介质陶瓷及其制备方法，化学组成式为aBaO‑bCaO‑cZrO2‑dTiO2‑eTa2O5‑fSrO，摩尔比例为15％≤a≤25％、25％≤b≤35％、5％≤c≤10％、40％≤d≤45％、2％≤e≤4％、2％≤f≤5％。烧结温度为1300‑1350℃。本发明的优点：组成和制备方法设计合理，所得微波介质陶瓷材料微波性能良好，介电常数达350±20，Qf值≥3500GHz，介质损耗≤0.07％，且制备方法操作简单，重复性好，对设备要求低，十分适合推广使用。

一种含铝化合物包覆LLZTO陶瓷的制备方法-202211708963.8
发明人：刘争;吴镝;冯杰仪;张雯婷;吴毅强;陈鹏飞;王中正;范东华 -专利权人：五邑大学
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： C04B35/49
摘要：本发明提供一种含铝化合物包覆LLZTO陶瓷的制备方法，包括将LiOH加入到LLZTO粉体中；并在ZrO2球磨罐球磨；使用真空烘箱烘干并使用模具压制成块体，将块体焙烧形成LLZTO相；将已成相的块体研碎，并再次使用ZrO2球磨罐湿磨、烘干得到铝包覆的LLZTO粉体；使用模具制成素坯并烧结得到含铝化合物包覆的LLZTO陶瓷片。本发明通过引入含铝化合物，焙烧后形成均匀包覆层，配合对应的烧结策略，取得了在常压条件下烧结出高性能LLZTO固态电解质；使用了原位生成包覆层的方法，达到对LLZTO陶瓷片烧结中晶界的助烧结；通过与含铝化合物包覆配套的烧结策略，能常压条件下烧结出性能优秀的LLZTO陶瓷片。

一种BSZT/BBSMZ/片状Al2-202210290354.9
发明人：谢天翼;王怀志;林慧兴;任海深;赵相毓;姜少虎;彭海益;顾忠元 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2022-03-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/49
摘要：本发明涉及一种BSZT/BBSMZ/片状Al2O3低温共烧材料及其制备方法。所述BSZT/BBSMZ/片状Al2O3低温共烧材料的组成包含：BSZT陶瓷相、BBSMZ玻璃相和片状氧化铝相；所述BSZT陶瓷的化学通式为Ba1‑xSrx(Zr1‑yTiy)O3，其中0＜x＜0.2，0＜y＜0.3；所述BBSMZ玻璃的组成为aB2O3‑bBaO‑cSiO2‑dMgO‑eZnO，其中a=0～10moL%、b=10～20moL%、c=30～40moL%、d=30～40moL%、e=0～10moL%，且a+b+c+d+e=100moL%。

介电组合物以及使用该介电组合物的电子组件-201811406752.2
发明人：崔民英;金亨旭;尹基明;咸泰瑛;权亨纯 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/49
摘要：本发明提供一种介电组合物以及使用该介电组合物的电子组件。所述介电组合物包括：基体材料粉末，包括(Ca1‑xSrx)(Zr1‑yTiy)O3，其中，0x≤0.7，0y≤0.03；第一副组分，包括从由锰(Mn)的氧化物和锰(Mn)的碳酸盐组成的组中选择的至少一种；第二副组分，包括从由钇(Y)的氧化物和钇(Y)的碳酸盐组成的组中选择的至少一种，其中，基于100mol的所述基体材料粉末，所述第二副组分的含量在从2mol至3mol的范围内；以及第三副组分，包括从由硅(Si)的氧化物和硅(Si)的碳酸盐组成的组中选择的至少一种。

一种具备超高压电常数的弛豫铁电体PNN-PHT材料的制备方法-202210844665.5
发明人：魏永星;闫俊龙;靳长清;张华伟;扈琳;南瑞华;高玲 -专利权人：西安工业大学
申请日： 2022-07-18 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： C04B35/49
摘要：本发明公开了一种具备超高压电常数的弛豫铁电体PNN‑PHT材料的制备方法，依次经过配料、预合成、造粒并压坯、排粘、埋烧烧结等步骤制备而成，本发明摒弃了传统的前驱体NiNb2O6和Hf0.3Ti0.7O2合成步骤，不仅使得制备过程简单，易于控制，且对于现有的前驱体制备方法来说，杂相形成更易于控制，过程重复性更高，适用于产业化推广应用，本发明制备的陶瓷材料具有纯相的钙钛矿相结构，材料性能优异，压电常数超过850pC/N，远高于多数的压电材料，平板机电耦合系数高，介电损耗低，去极化温度高。本发明适用于制备弛豫铁电体PNN‑PHT材料。

一种高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷、制备方法及其应用-202111219826.3
发明人：王大伟;周世昱;蒲永平;张倩雯;于淑慧;孙蓉 -专利权人：深圳先进电子材料国际创新研究院
申请日： 2021-10-20 - 公布日： 2023-04-21 - 主分类号： C04B35/49
摘要：本发明公开了一种高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷及其制备方法，属于无机非金属材料领域。该陶瓷组成为：(1‑x)ABO3‑xA’B’O3，其中，ABO3选自BaTiO3、SrTiO3、CaTiO3、BiFeO3、(Bi0.5Na0.5)TiO3、(Bi0.5K0.5)TiO3、NaNbO3和(K0.5Na0.5)NbO3中的至少一种，A’选自Ba、Sr、Ca、Bi、Na、K中的至少一种，B’选自Zn、Mg、Al、Fe、Co、Mn、Sn、Zr、Hf、Ti、Nb、Ta中的至少5种；所述高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷中的多元阳离子高熵钙钛矿氧化物以A’B’O3的形式进入铁电相ABO3。本发明以固相合成法，通过球磨、干燥、粉碎、细磨过筛、干压成型等步骤后，经过烧结制备得到钙钛矿陶瓷。本发明制备的高熵钙钛矿氧化物掺杂陶瓷具有良好的介电性能，可应用于电容器等领域。

专利分类

C 化学；冶金

C04 水泥；混凝土；人造石；陶瓷；耐火材料
C04B 石灰；氧化镁；矿渣；水泥；其组合物，例如：砂浆、混凝土或类似的建筑材料；人造石；陶瓷
C04B35-00 以成分为特征的陶瓷成型制品；陶瓷组合物
C04B35-01 .以氧化物为基料的
C04B35-50 .以稀土化合物为基料的
C04B35-51 .以锕系化合物为基料的
C04B35-515 .以非氧化物为基料的
C04B35-622 .形成工艺；准备制造陶瓷产品的无机化合物的加工粉末

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[发明专利]一种黑色氧化锆陶瓷材料组合物及其应用在审

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