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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器-CN202310896407.6在审
发明人：权亨纯;朴宰成;崔民英;尹基明;金亨旭;咸泰瑛;白承仁 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本公开提供一种介电陶瓷组合物和包括该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器，所述介电陶瓷组合物包括钛酸钡(BaTiO3)基基体材料主成分和副成分，并且所述副成分包括作为稀土元素的三价镧系稀土元素A和铽(Tb)，并且铽(Tb)的含量与所述三价镧系稀土元素A的含量的摩尔比(Tb/A)满足0.15≤Tb/A0.50。
陶瓷组合包括多层电容器

[发明专利]介电陶瓷组合物和包括其的多层陶瓷电容器-CN201910999590.6有效
发明人：权亨纯;朴宰成;崔民英;尹基明;金亨旭;咸泰瑛;白承仁 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2019-10-21 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本公开提供一种介电陶瓷组合物和包括该介电陶瓷组合物的多层陶瓷电容器，所述介电陶瓷组合物包括钛酸钡(BaTiO3)基基体材料主成分和副成分，并且所述副成分包括作为稀土元素的三价镧系稀土元素A和铽(Tb)，并且铽(Tb)的含量与所述三价镧系稀土元素A的含量的摩尔比(Tb/A)满足0.15≤Tb/A0.50。
陶瓷组合包括多层电容器

[发明专利]介电组合物以及使用该介电组合物的电子组件-CN201811406752.2有效
发明人：崔民英;金亨旭;尹基明;咸泰瑛;权亨纯 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2018-11-23 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： C04B35/49 文献下载
摘要：本发明提供一种介电组合物以及使用该介电组合物的电子组件。所述介电组合物包括：基体材料粉末，包括(Ca1‑xSrx)(Zr1‑yTiy)O3，其中，0x≤0.7，0y≤0.03；第一副组分，包括从由锰(Mn)的氧化物和锰(Mn)的碳酸盐组成的组中选择的至少一种；第二副组分，包括从由钇(Y)的氧化物和钇(Y)的碳酸盐组成的组中选择的至少一种，其中，基于100mol的所述基体材料粉末，所述第二副组分的含量在从2mol至3mol的范围内；以及第三副组分，包括从由硅(Si)的氧化物和硅(Si)的碳酸盐组成的组中选择的至少一种。
组合以及使用电子组件

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN202210306320.4在审
发明人： 尹基明;朴宰成;郑东俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在两个内电极之间的介电层。所述介电层包括多个介电晶粒。在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界具有在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比，所述Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。
多层陶瓷电容器

[发明专利]多层电容器-CN202111299646.0在审
发明人： 尹基明;赵俊烨 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2021-11-04 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： H01G4/06 文献下载
摘要：本公开提供一种多层电容器。所述多层电容器包括：主体，包括介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上以连接到所述内电极，其中，所述介电层包括具有核‑壳结构的多个晶粒，所述核‑壳结构在核中具有孔，并且在所述介电层的所述多个晶粒中，具有两个或更少的孔的晶粒的比为20％至40％。
多层电容器

[发明专利]介电组合物和多层电子组件-CN201810396538.7有效
发明人： 尹基明;郑东俊;朴宰成;咸泰瑛;权亨纯;金钟翰;金亨旭 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2018-04-28 - 公布日： 2022-04-15 - 主分类号： C04B35/468 文献下载
摘要：本发明提供一种介电组合物和多层电子组件。所述多层电子组件包括：主体，包括交替地设置的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体上以分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极，其中，所述介电层中的每个包括BamTiO3并包括多个晶粒和形成在相邻的晶粒之间的晶界，并且基于所述晶界中的氧化物的总量的100重量份，所述晶界中的Si和Dy的总含量为10至15重量份。
组合多层电子组件

[发明专利]多层陶瓷电容器-CN202010082253.3有效
发明人： 尹基明;朴宰成;郑东俊 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2020-02-07 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种多层陶瓷电容器，所述多层陶瓷电容器包括：陶瓷主体，具有设置在两个内电极之间的介电层。所述介电层包括多个介电晶粒。在所述多个介电晶粒中的至少两个介电晶粒之间的晶界具有在所述晶界中的Si的重量与Ni的重量的Si/Ni比，所述Si/Ni比为大于等于1且小于等于6。
多层陶瓷电容器

[发明专利]多层电容器及介电组合物-CN201811053867.8有效
发明人： 尹基明;金亨旭;朴宰成;咸泰瑛;权亨纯;金锺翰 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2018-09-11 - 公布日： 2021-03-09 - 主分类号： H01G4/33 文献下载
摘要：本发明提供一种多层电容器及介电组合物。所述多层电容器包括：主体，包括介电层以及交替地设置的第一内电极和第二内电极，且相应的介电层插设在所述第一内电极和所述第二内电极之间；以及第一外电极和第二外电极，设置在所述主体上，并分别连接到所述第一内电极和所述第二内电极。所述介电层包含BaTiO3作为主要成分，并包括多个晶粒以及相邻晶粒之间形成的晶界，基于所述晶界中的氧化物的总含量，所述晶界包含含量为8.0wt％至18.0wt％的Si以及总含量为2.0wt％至6.0wt％的Al和Mg。
多层电容器组合

[发明专利]电容器组件及制造该电容器组件的方法-CN201811311539.3在审
发明人：权亨纯;金亨旭;咸泰瑛;金钟翰;尹基明;朴宰成 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2018-11-06 - 公布日： 2019-08-16 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：本发明提供一种电容器组件及制造该电容器组件的方法。所述电容器组件包括：主体，所述主体中交替堆叠有介电层和内电极；以及外电极，设置在所述主体上且连接到所述内电极。所述介电层包括复合层、第一保护层和第二保护层，所述复合层包括介电材料粉末和金属颗粒，所述第一保护层和所述第二保护层包括介电材料粉末并通过所述复合层分开。所述第一保护层和所述第二保护层中的每个的厚度等于或大于所述介电层的厚度的1/3。
电容器组件第二保护层第一保护层复合层介电层介电材料内电极交替堆叠金属颗粒外电极制造

[发明专利]钛酸钡的制备方法以及由该钛酸钡制备的钛酸钡粉末-CN201310289292.0有效
发明人：全炯俊;崔畅学;南光熙;刘正勋;尹基明;金昶勋 -专利权人：三星电机株式会社
申请日： 2013-07-10 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： C01G23/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种钛酸钡的制备方法，以及由该钛酸钡制备的钛酸钡粉末。高结晶钛酸钡的制备方法包括通过升高相对温度，制备具有电离钡(Ba)的氢氧化钡原料，制备分散在酸或者碱中的钛(Ti)原料，混合所述氢氧化钡和所述钛原料并反应得到钛酸钡晶种；以及将所述钛酸钡晶种与烧结促进剂混合以完成晶粒生长。所述钛酸钡粉末可以具有极好的晶粒大小分布和低烧结起始温度，因此，在应用于多层陶瓷电子元件时，改善了如分层产生、覆盖率退化等问题。
钛酸钡制备方法以及粉末

[发明专利]制造多层封装件的方法-CN200510006446.6无效
发明人：金世年;权兴奎;尹基明 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-02-01 - 公布日： 2005-08-10 - 主分类号： H01L21/60 文献下载
摘要：本发明公开一种制造多层封装件的方法，该方法确保易于敷设焊膏或焊剂。所述方法包括形成第一封装件，其包括在其上设置有突起的第一基板，以及形成第二封装件，其包括设置在其上对应于所述突起的第二基板，将焊膏或焊剂敷设在第一封装件的突起上，并且将第一封装件的所述突起和第二封装件的电极焊盘电连接。
制造多层封装方法

[发明专利]多芯片封装-CN200510004473.X无效
发明人： 尹基明;权兴奎;李稀裼 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2005-01-12 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：提供一种多芯片封装，其包括：一衬底，其上可形成多个衬底接合衬垫并且其下可形成多个接线端；堆积在该衬底上的第一和第二半导体芯片；一间隔件，其可形成在该第一和第二半导体芯片之间并至少具有电源和接地衬垫。该间隔件可用作无源元件，该第一和第二半导体芯片和该间隔件的电源和接地衬垫可电连接。堆积在该间隔件上的半导体芯片的衬垫可同样通过形成在该间隔件上的衬垫电连接到衬底接合衬垫。
芯片封装

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