[发明专利]LED外延结构、LED芯片及其制备方法在审
| 申请号： | 201711488519.9 | 申请日： | 2017-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN108231969A | 公开（公告）日： | 2018-06-29 |
| 发明（设计）人： | 陈立人;刘恒山;冯猛;陈伟 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/20 | 分类号： | H01L33/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙) 32235 | 代理人： | 沈晓敏 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种LED外延结构、LED芯片及其制备方法，LED外延结构包括衬底及外延晶体，衬底包括若干凹槽，外延晶体位于凹槽底部，且凹槽的内侧壁环绕外延晶体的侧缘设置。本发明的外延晶体位于凹槽内，每个外延晶体的侧缘均被凹槽内侧壁包围，此时，外延晶体的侧出光将被形成凹槽的衬底吸收，避免点阵间所发出的侧出光相互干扰，进而提高了LED芯片的解析度。 | ||
| 搜索关键词： | 外延晶体 衬底 侧缘 制备 凹槽内侧壁 点阵 解析度 内侧壁 环绕 包围 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种LED外延结构，其特征在于，包括衬底及外延晶体，所述衬底包括若干凹槽，所述外延晶体位于凹槽底部，且所述凹槽的内侧壁环绕所述外延晶体的侧缘设置。
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