[发明专利]一种微纳通道制作方法和装置在审

专利信息
申请号: 201711483182.2 申请日: 2017-12-29
公开(公告)号: CN108031969A 公开(公告)日: 2018-05-15
发明(设计)人: 李华伟;汤晖;朱佳伟;孔德键;房飞宇;陈桪;高健;陈新;崔成强;贺云波 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: B23K26/08 分类号: B23K26/08;B23K26/082;B23K26/362;B23K26/70;H01L33/00
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 罗满
地址: 510006 广东省*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种微纳通道制作方法和装置,其中方法包括:步骤1,在硅片的表面生长二氧化硅层;步骤2,采用红外激光刻蚀所述二氧化硅层,获得预定的图形通道。通过采用激光直接对硅片表面的二氧化硅层进行刻蚀,获得预定的图形通道,操作简单,通过调节激光的相关参数可以实现对所需要的通道的深度和宽度精准控制,加工精度高,能够避免对环境造成污染以及对人体直接造成伤害,大幅降低了微纳通道的制作成本,提高了制作效率。
搜索关键词: 一种 通道 制作方法 装置
【主权项】:
1.一种微纳通道制作方法,其特征在于,包括:步骤1,在硅片的表面生长二氧化硅层;步骤2,采用红外激光刻蚀所述二氧化硅层,获得预定的图形通道。
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