[发明专利]导电薄膜的制备方法、镀膜设备、导电薄膜及电子器件有效
| 申请号： | 201711451104.4 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108220898B | 公开（公告）日： | 2020-09-04 |
| 发明（设计）人： | 刘松林;易伟华;张迅;张伯伦;周慧蓉 | 申请（专利权）人： | 江西沃格光电股份有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/10;C23C14/08;C23C14/02 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 生启 |
| 地址： | 338004 江西省新余*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种导电薄膜的制备方法、镀膜设备、导电薄膜及电子器件。该制备方法包括如下步骤：在基板上镀制阻挡层，阻挡层的材质为二氧化硅、氮化硅及二氧化钛中的至少一种；在阻挡层远离基板的一侧镀制第一ITO层；在第一ITO层远离阻挡层的一侧镀制增强层，增强层的材料为银或石墨烯；及以氩气为工作气体，在臭氧存在下，且臭氧与氩气的体积比为1：8～2：9，在所述增强层远离所述第一ITO层的一侧镀制第二ITO层，得到导电薄膜。通过上述制备方法能够于低温下制备具有较高可见光透过率且较低电阻率的导电薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 导电 薄膜 制备 方法 镀膜 设备 电子器件 | ||
【主权项】：
1.一种导电薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：在基板上镀制厚度为20nm～30nm的阻挡层，所述阻挡层的材质为二氧化硅、氮化硅及二氧化钛中的至少一种；在所述阻挡层远离所述基板的一侧镀制厚度为20nm～25nm的第一ITO层；在所述第一ITO层远离所述阻挡层的一侧镀制厚度为70nm～80nm的增强层，所述增强层的材料为银或石墨烯；及以氩气为工作气体，在臭氧存在下，且臭氧与氩气的体积比为1：8～2：9，在所述增强层远离所述第一ITO层的一侧镀制厚度为20nm～25nm的第二ITO层，得到导电薄膜。
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