[发明专利]一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法有效
| 申请号： | 201711447455.8 | 申请日： | 2017-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN108362740B | 公开（公告）日： | 2020-10-16 |
| 发明（设计）人： | 雷鸣;饶吉磊;贺方杰 | 申请（专利权）人： | 武汉微纳传感技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/12 | 分类号： | G01N27/12 |
| 代理公司： | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人： | 杨立;陈振玉 |
| 地址： | 430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区武大*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种金属氧化物半导体气体传感器及其制作方法，包括：由下往上依次层叠的微热盘、绝缘隔离层和敏感电极，以及覆盖在敏感电极上方的气体敏感材料，敏感电极位于微热盘表面的绝缘隔离层上方，包括：第一敏感电极、第二敏感电极和悬置敏感电极，悬置敏感电极位于第一敏感电极和第二敏感电极之间。本发明提供的一种金属氧化物半导体气体传感器，通过在两敏感电极之间引入悬置敏感电极，改善了电场强度分布、微热盘发热区的温度分布、气体传感器的灵敏度和气体传感器长期稳定性，该气体传感器可以长时间承受较高的工作电压，工作可靠性显著提高，适用于产品进一步小型化。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 金属 氧化物 半导体 气体 传感器 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种金属氧化物半导体气体传感器，包括：由下往上依次层叠的微热盘(1)、绝缘隔离层(2)和敏感电极(3)，以及覆盖在所述敏感电极(3)的上方的气体敏感材料(4)，所述敏感电极(3)位于微热盘(1)表面的绝缘隔离层(2)上方，其特征在于，所述敏感电极(3)包括：第一敏感电极(31)、第二敏感电极(32)和悬置敏感电极(33)；所述悬置敏感电极(33)位于所述第一敏感电极(31)和第二敏感电极(32)之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉微纳传感技术有限公司，未经武汉微纳传感技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711447455.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
