[发明专利]一种多功能半导体器件有效
| 申请号： | 201711422166.2 | 申请日： | 2017-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN108088877B | 公开（公告）日： | 2020-05-01 |
| 发明（设计）人： | 胡静 | 申请（专利权）人： | 江西省吉晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | G01N27/22 | 分类号： | G01N27/22 |
| 代理公司： | 北京瑞盛铭杰知识产权代理事务所(普通合伙) 11617 | 代理人： | 黄淑娟 |
| 地址： | 343000 江西省吉安市井*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种多功能半导体器件，包括：硅基底，其具有一由刻蚀形成的凹槽；第一绝缘层，其形成在凹槽的底面；金属层，形成在第一绝缘层的上表面；第二绝缘层，形成在金属层的上表面；阵列气体传感器，形成在第二绝缘层的上表面，并以阵列的方式排布在第二绝缘层的上表面处；导电触点，布置在金属层上，并延伸至第二绝缘层的上表面，以将阵列气体传感器与外电路连接；形成在阵列气体传感器上部的气隙，是在阵列气体传感器上部的牺牲层去除之后形成的；形成在气隙中的支撑柱；和金属盖层，形成在支撑柱的上部，且在盖层处具有至少一个通气孔，用于将气体引入气隙内，进而与阵列气体传感器接触；其中，金属层和金属盖层作为电容器的两个电极。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 多功能 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种多功能半导体器件，其特征在于，包括：硅基底，其具有一由刻蚀形成的凹槽；第一绝缘层，其形成在所述凹槽的底面；金属层，其形成在所述第一绝缘层的上表面，所述金属层的形状设置成片状或块状；第二绝缘层，其形成在所述金属层的上表面；阵列气体传感器，其形成在所述第二绝缘层的上表面，并以阵列的方式排布在所述第二绝缘层的上表面处；导电触点，其布置在所述金属层上，并延伸至所述第二绝缘层的上表面，以将所述阵列气体传感器与外电路连接；形成在所述阵列气体传感器上部的气隙，其是在所述阵列气体传感器上部的牺牲层去除之后形成的；形成在所述气隙中的支撑柱；和金属盖层，其形成在所述支撑柱的上部，且在所述盖层处具有至少一个通气孔，用于将气体引入所述气隙内，进而与所述阵列气体传感器接触；其中，所述金属层和所述金属盖层作为电容器的两个电极。
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