[发明专利]气相沉积设备和气相沉积方法

摘要

本发明公开一种气相沉积设备和气相沉积方法，气相沉积设备包括：壳体，其设有向上开口的凹腔；载片台，其设置在凹腔的内部；封盖组件，其对凹腔进行封盖，并与凹腔形成真空腔室；匀气组件，其设置在所述真空腔室的内部，并位于载片台的上方，且朝向载片台导出气体；以及进气组件，其贯穿封盖组件，并包括清洗气路和脉冲气路，清洗气路与匀气组件相通，脉冲气路直接与凹腔相通。本发明的气相沉积设备可以使不同生长工艺的反应气流互不干涉，同时又共用一些相同的零部件，结合在单个反应腔室中，易于精确控制。该设计可以兼容等离子体增强型化学气相沉积系统、原子层沉积系统与等离子增强原子层沉积系统，三种系统可以同时或交替式进行镀膜反应。

主权项

1.一种气相沉积设备，其特征在于，包括：壳体(10)，其设有向上开口的凹腔(11)；载片台(20)，其设置在所述凹腔(11)的内部；封盖组件(30)，其对所述凹腔(11)进行封盖，所述封盖组件(30)与所述凹腔(11)形成真空腔室；匀气组件(40)，其设置在所述真空腔室的内部，并位于所述载片台(20)的上方，且朝向所述载片台(20)导出气体；以及进气组件(50)，其贯穿所述封盖组件(30)，并包括清洗气路和脉冲气路，所述清洗气路与所述匀气组件(40)相通，所述脉冲气路直接与所述凹腔(11)相通。