[发明专利]一种晶圆级封装结构、制备方法及其吸气剂的激活方法有效
| 申请号： | 201711378461.2 | 申请日： | 2017-12-19 |
| 公开（公告）号： | CN108358158B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 夏建军;马占锋;高健飞;黄立 | 申请（专利权）人： | 武汉高芯科技有限公司 |
| 主分类号： | B81B7/00 | 分类号： | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
| 代理公司： | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人： | 张强 |
| 地址： | 430205 湖北省武*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明属于微机电领域，公开了一种晶圆级封装结构、制备方法及其吸气剂的激活方法，所述晶圆级封装结构包括读出电路衬底以及设置于所述读出电路衬底上表面且与所述读出电路衬底电连接的像元和盲元，所述晶圆级封装结构还包括设置于所述读出电路衬底上表面且位于所述像元底部的第一吸气剂和/或设置于所述盲元上表面的第二吸气剂；所述晶圆级封装结构的制备方法包括通过光刻工艺和物理气相沉积工艺在读出电路衬底上表面制备第一吸气剂和/或通过光刻工艺和物理气相沉积工艺在盲元上表面制备第二吸气剂；所述晶圆级封装结构内吸气剂的激活方法包括电激活和热激活。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶圆级 封装 结构 制备 方法 及其 吸气 激活 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆级封装结构，包括读出电路衬底(2)以及设置于所述读出电路衬底(2)上表面且与所述读出电路衬底(2)电连接的像元(31)和盲元(32)，其特征在于，还包括设置于所述读出电路衬底(2)上表面且位于所述像元(31)底部的第一吸气剂(4)和/或设置于所述盲元(32)上表面的第二吸气剂(5)。
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