[发明专利]一种碳化硅晶体导电类型的无损判定方法

摘要

本发明涉及一种碳化硅晶体导电类型的无损判定方法，使用紫外‑可见‑近红外分光光度计，对待测的SiC样品进行光谱透过率测量，探测光的入射方向为沿SiC晶片的c轴方向，测量指标为吸光度，根据公式α=｛A﹢2log10(1‑R)｝/(d/ln10)（1）计算得到碳化硅样品的吸收系数随波长变化关系的吸收系数曲线，从曲线中获得紫外吸收边位置Eg；根据半绝缘类型的紫外吸收边位置判定标志与吸收边位置Eg进行比较，获得半绝缘晶片导电类型，有益效果是采用基于光谱分析法，对高纯半绝缘碳化硅晶片的导电类型进行检测和筛分的方法，对待测样品无损伤，检测过程易于自动化和程序控制，可对出厂产品进行全面检验，也可应用于目前市场存在的2、3、4、6英寸完整晶圆产品检验。

主权项

1.一种碳化硅晶体导电类型的无损判定方法，使用紫外-可见-近红外分光光度计，对待测的SiC样品进行光谱透过率测量，其技术特征在于：判定方法包括，（1）、探测光的入射方向为沿SiC晶片的c轴方向，测量指标为吸光度，若测试样品为完整的晶圆，则在样品台添加二维扫描结构，以获得完整晶圆的不同部位的光谱吸光度A随波长对应关系；（2）、根据公式计算得到碳化硅样品的吸收系数随波长变化关系的吸收系数曲线，公式α=｛A﹢2log10(1-R)｝/(d/ln10)（1）其中d是晶片厚度，R为材料表面反射系数，α为材料的吸收系数，R通过红外波段可以获得近似取值，对于高纯半绝缘SiC抛光片，R一般取值为0.1752；（3）、从吸收系数曲线中获得紫外吸收边位置Eg；（4）、根据判定标志与从吸收系数曲线中获得紫外吸收边位置Eg进行比较，获得半绝缘晶片导电类型，其中，（a）、 N型半绝缘（氮为主杂质元素）判定标志：紫外吸收边位置的大于3.536eV、小于3.577eV，（b）、P型半绝缘（硼为主杂质元素）判定标志：紫外吸收边位置约3.41eV。